森未科技:第8代IGBT对标英飞凌,加速国产化进程

原创 行家说汽车半导体 2024-09-05 17:38

8月28-30日,PCIM Asia 2024国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会在深圳举行!此次盛会展览规模达到20000平方米,参观人次超过20000人,汇集了200+全球知名品牌企业参展。

其中,“行家说”重点采访了成都森未科技有限公司董事长孟繁新博士,深入了解他们在IGBT领域的最新技术进展、产品创新以及市场战略。

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行家说:贵公司近年来的发展速度很快,能介绍一下你们的背景吗?

森未孟繁新:森未科技创办于2017年,核心技术团队由清华大学和中国科学院的博士组成,于2012年开始研发功率半导体器件,深耕IGBT芯片技术、应用和产业化已经超过10年。公司自成立以来,致力于电驱动和电控OBC等汽车高压系统的先进技术开发,已掌握当时国际上最先进的第七代IGBT的设计开发技术。公司专注于商业化产品和技术的研发与储备,现已成功开发出一系列电压等级600V-1700V、单颗芯片电流可达300A的商业化产品;随后公司将重点转向产品的市场化推广,特别是在工业控制领域如感应加热、高频电源和焊机等方面取得了显著成就,在这过程中,我们的产品得到验证和认可,从而公司营收快速增长。同时,公司也在进一步拓展和布局光伏、储能和电动汽车等多个领域,通过深入的技术研究和丰富的应用解决方案,不断巩固和扩大其在行业中的领先地位。

行家说:本次展会上贵公司展示了哪些产品?能否介绍一下核心产品的创新点和优势?

森未孟繁新:此次展会,森未科技展示了自主研发的IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块全系列产品,具体产品型号包括SD120R12I7HB/SD120R12IA7HQ、S3L400R10HA7U_C20、S3L400R10GA7U_C20、S3L225R12GA7H_C20等。

其中,森未的IGBT晶圆在正面设计上采用MPT技术,在背面工艺上采用Taiko减薄和H-IMP。正面设计搭配背面工艺,针对不同应用工况和应用场景,采用多维一体化设计,综合权衡导通损耗、开关损耗、短路能力、开关应力、可靠性等各项参数指标。

IGBT单管方面,我们可提供涵盖650V-1200V电压、40A-120A电流等级单管产品。该产品通过采用MPT技术和Taiko减薄工艺,具有高电流密度和低开关损耗的特性,广泛应用于储能,光伏,OBC,充电桩等行业。

IGBT模块方面,我们可提供涵盖650V-1700V电压、10A-900A电流等级模块产品,兼容市场主流封装。该产品通过采用先进的Trench-FS技术,根据不同行业应用特点,在导通压降和关断损耗之间做出最优权衡设计,为客户提供高效产品方案。特别是集中式储能电站,电能质量及工业控制领域。

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行家说:相比友商,贵公司的IGBT有哪些竞争优势?

森未孟繁新:我们的优势所在是对技术和产品的理解、以及基于产品的解决方案上。森未科技的器件团队工艺技术积累来自多年在晶圆生产线的一线工作经验,不仅熟悉国内各条晶圆线的工艺条件,而且在日本有多年的先进工艺开发经验,应用团队在中央企业具有超过十年的IGBT应用开发经验, 对IGBT在终端场景的实际应用具有深入的理解。

行家说:能否介绍一下贵公司的IGBT产能布局?如何为客户提供更好的供应保障?

森未孟繁新:首先,森未科技拥有超100款芯片的研制开发和量产能力,快速响应客户需求,通过验证即可尽快实现量产。

同时,由于产能紧张,森未科技利用技术优势,在多个晶圆厂进行代工生产,尽管这增加了森未科技与不同工厂的技术和设计调整工作量,最终还是解决了客户的需求。

此外,得益于加入上市公司的契机,森未科技获得了改善其制造短板的机会,通过建立一个专门的平台,不仅解决了自身的制造问题,也为其他客户提供封装和背面加工服务,助力于完善所在地成都的功率半导体产业链。

行家说:去年,贵公司自己的IGBT产线已经通线,能否介绍一下?

森未孟繁新:得益于2022年并入上市公司的契机,森未科技获得了改善其制造短板的机会,通过建立一个专门的平台,不仅解决了自身的制造问题,也为其他客户提供模块封装和分立器件等加工的代工服务,助力于完善公司总部所在地成都的功率半导体产业链。

森未科技IGBT晶圆(正面设计采用MPT技术,背面工艺采用Taiko减薄和H-IMP)

行家说:今年IGBT行业比较“卷”,贵公司是如何应对这个局面的?

森未孟繁新:面对当前行业整体下行的压力,森未科技以夯实技术为基础,形成具有独到优势的产品性能,以凸显自身的技术优势。对于红海产品,我们也将遵循市场规律和销售模式,即使这个过程中带来了巨大的经济压力,我们也会积极寻找差异化的市场定位。

行家说:今年以来,贵公司在市场开拓、技术研发等方面有哪些新的成绩和亮点?

森未孟繁新:目前,森未科技的战略重心更倾向于寻找与下游市场需求紧密相关的创新解决方案。当前市场环境,可以说还处于“价格”竞争非常激烈的阶段,各企业对于新技术开发抱有一种比较“谨慎”的态度。因此,我们更倾向于将精力集中在优化现有产品、降低成本和提高市场响应速度上,而不是一味地创新技术、开发产品应用。

行家说:贵公司对于车规级IGBT有什么规划?

森未孟繁新:针对于新能源汽车,森未科技有在布局产品,而下游市场的带动同样是非常重要的。过去的几年中,我们与头部车企有过合作的机会,未来我们将强化技术和产品研发,寻求新的机会,对于一些客户端、应用端的绑定。

行家说:在车规级IGBT产品方面,贵公司的优势在哪里?

森未孟繁新:森未科技的优势在于针对特定应用场景的定制化开发,以提高市场竞争力。森未科技拥有多年来的IGBT应用开发经验和丰富的产业化经验,使其对IGBT在终端场景的实际应用具有深入的理解,这也是我们较为显著的竞争力和优势。

森未科技正致力于开发第八代IGBT技术,对标英飞凌等国际领先企业的技术水平。目前这一技术路径已经走通,还需要一个产品周期。此外,该产品的量产计划将结合国内的IGBT正面工艺代工平台的成熟度。

行家说今年6月,贵公司的碳化硅研发验证平台已经通线,贵公司的碳化硅业务有什么样的规划?

森未孟繁新:森未科技在SiC和IGBT领域都有所布局。公司已开发了包括二极管、MOSFET在内的SiC产品,并且在技术研发上也有所储备。

行家说:贵公司接下来有什么样的发展计划或目标吗?

森未孟繁新:森未科技将通过上市公司的支持与自建产线,扩大产能,致力于在光伏储能等领域拓展,聚焦于国产大功率半导体芯片在关键领域的应用。

END.

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