重磅！我国首次突破芯片制造关键技术！

芯极速 2024-09-04 11:54

【50份好礼】首发直播：解密Keysight最新模拟信号源 精密双向电流感应放大器设计方案

据南京市政府发布公告，经过4年的自主研发，国家第三代半导体技术创新中心（南京）成功攻关沟槽型碳化硅（SiC）MOSFET芯片制造关键技术。

这是我国在这一领域的首次突破，打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。

国家第三代半导体技术创新中心（南京）。图源：江宁发布。

目前业内应用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片为主。而沟槽栅结构的设计比平面栅结构具有明显性能优势，可实现更低的导通损耗、更好的开关性能、更高的晶圆密度，从而大大降低芯片使用成本，却一直以来受限于制造工艺，沟槽型碳化硅MOSFET芯片产品迟迟未能问世、应用。

在国家第三代半导体技术创新中心（南京）平台，科研人员在第三代半导体——碳化硅芯片产线上检测产品。图源：南京日报/紫金山新闻记者孙中元。

国家第三代半导体技术创新中心（南京）技术总监黄润华称“关键就在工艺上”，SiC 材料硬度非常高，改平面为沟槽，就意味着要在材料上“挖坑”，且不能“挖”得“坑坑洼洼”的。

为此，研发团队通过不断的尝试和创新，最终建立了全新的工艺流程，解决了制造过程中的难点，成功制造出了性能更优的沟槽型碳化硅MOSFET芯片。较平面型提升导通性能30%左右。

目前中心正在进行沟槽型碳化硅MOSFET芯片产品开发，推出沟槽型的SiC功率器件，预计一年内可在新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域投入应用。

而且这一成果的应用还将为消费者带来直接的好处，例如在新能源汽车中，使用碳化硅功率器件可以提升续航能力约5%，同时降低芯片使用成本。

"添加小助手申请进群"

（icspec——规格书查询、免费发ic供应/采购）

END

爆款好文

艰难！英特尔拟卖厂！

最新排名！全球TOP 15半导体厂商

重磅！美半导体设备巨头，撤出中国

突发！两大芯片原厂被曝遭美调查

恭喜！顶级光刻机，进入中国

*温馨提示：如果您觉得我们的内容不错，建议多点击「点赞、在看、收藏」等，成为常读用户，第一时间获取最新行业芯闻，同时欢迎多多「留言交流、转发」，非常感谢！

*免责声明：本平台文章内容整理自“官方媒体/网络新闻”，所使用的素材、封图/配图来源网络，其版权归原权利人所有。如需修改/删稿或转载，敬请上方扫码联系我们。

更多精彩推荐 ↓敬请关注↓

登录阅读全文



免责声明：该内容由专栏作者授权发布或作者转载，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点，本站亦不保证或承诺内容真实性等。若内容或图片侵犯您的权益，请及时联系本站删除。侵权投诉联系： nick.zong@aspencore.com！

芯极速公众号：芯极速，聚焦行业芯闻，欢迎关注！

进入专栏

芯极速公众号：芯极速，聚焦行业芯闻，欢迎关注！

文章：505篇粉丝：6人

最近文章