4.2.11 调试期间消耗的电流
由于MCU内的调试电路在连接仿真器调试器期间始终处于活动状态,因此MCU比实际用户系统中消耗更多的电流。在尝试测量用户系统中的电流时,请注意这一点。
4.2.12 内存保护单元(MPU)注意事项
(1)进入保护区表4.3显示了仿真器调试器在尝试访问每个MPU保护的区域时的操作。
表4.3 进入MPU保护区
4.3.12关于TrustZone®的说明
(1)当设备的DLM状态为NSECSD时,仿真器调试器连接到具有调试访问级别DBG1的设备。
(2)当仿真器调试器连接到具有调试访问级别DBG1的设备时,必须已经写入了一个程序,以使设备的执行在CPU 复位释放后正确进入非安全区域(连接仿真器调试器后,执行将在设备执行进入非安全区的第一条指令处停止)
(3)当仿真器调试器与调试访问级别DBG1连接时,不能在安全区域中设置断点。
(4)进入安全区域表
4.4显示了在与调试访问级别DBG1连接期间,仿真器调试器响应尝试访问TrustZone®功能保护的区域的操作。
表4.4 进入安全区域
注:有关从外围I/O寄存器读取的值,请参阅每个寄存器的规格。
(5)调试访问级别DBG2时使用的软件中断功能。(闪存)
当调试不仅部署在安全区域而且同时部署在非安全区域的程序时,不要执行与以下软件中断功能相关的调试操作。
— 在NSC和非安全区域设置和取消软件断点。
— 当程序在非安全区域中断时,设置和取消软件断点。
— 程序在安全区域中的软件断点处停止后,通过单步执行移动到非安全区域。
当执行上述操作时,由于信任区功能,程序故障或重新编程闪存可能会在进一步的调试操作中失败,并且无法继续调试。
如果在上述情况下需要设置断点,请改用硬件断点。
4.2.13 关于代码闪存双模设备的说明
当要使用代码闪存双模式(包括银行交换功能)和代码闪存块交换功能时,在仿真器调试器的[Debug Tool Settings]选项卡页面上,为[flash]选择[No](下载前擦除芯片上程序闪存)。对于[System],为[Debug the program re-write the on-chip data flash]选择[Yes]。
图4.15 [Flash]和[System]项设置
4.2.14 S缓存和C缓存函数注意事项
使用S缓存和C缓存功能时,如果满足以下所有条件,请使用硬件断点而不是软件断点。
⎯ CPU处于非安全状态。
⎯ S缓存和C缓存功能的控制寄存器(CCACTL、CCAFCT、SCACTL和SCAFCT)处于安全状态。或者在以上所有条件下下载时,下载后使缓存内容无效,因为写入的内容和缓存内存之间可能存在差异。
4.3 用于调试的MCU
使用仿真器调试后,如果MCU与仿真器断开连接,自行运行,则不能保证正确运行。要独立运行MCU,请使用编程软件对MCU进行重新编程。
连接到仿真器并用于调试的MCU在仿真期间会因闪存的重复编程而承受压力。请勿使用用于最终用户量产调试的 MCU。
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未完待续
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