近日，国内领先的半导体材料异质集成技术企业青禾晶元宣布，在绝缘体上碳化硅（SiC-on-Insulator，简称SiCOI）材料的制备技术上取得了重大突破，成功实现了高质量晶圆级SiCOI的规模化生产。这一成就不仅标志着青禾晶元在半导体材料领域的科研实力和技术创新能力达到了新的高度，更为我国乃至全球半导体产业的发展注入了强劲动力。
SiCOI作为一种具有优异性能的半导体复合材料，结合了碳化硅（SiC）的高导热性、高击穿电压的优势和绝缘体的良好电学隔离性能，被广泛应用于集成光子学、量子光学、功率器件等多个高科技领域。然而，高质量SiCOI材料的制备一直是一项极具挑战性的任务，需要解决晶圆键合、微纳加工等多个技术难题，业内前期探索主要是小尺寸样品的制备尝试。
