最近，TrendForce透露了高带宽内存(HBM)技术的未来，特别是预计将于2026年首次亮相的HBM4。这项即将到来的技术承诺将其接口扩展到2048位，并大幅改变架构。TrendForce声称，HBM4将从传统的标准化DRAM技术转向更多的定制解决方案。
HBM4将是第一个在其基础芯片上使用12纳米工艺技术的芯片，这种芯片现在将由代工厂而不是DRAM制造商生产。这种发展将是代工厂和内存供应商之间的合作努力，这本质上意味着一种共生关系，以推进高速内存技术。HBM4的性能提升和功能增强是为满足未来人工智能(AI)和高性能计算(HPC)处理器的需求而量身定制的，这些处理器来自AMD、英伟达和英特尔等主要行业参与者。
HBM4市场向定制化的转变是TrendForce确定的一个关键方面。这偏离了传统的、标准化的商品DRAM方法，标志着行业的重大转变。买家越来越多地寻求定制规格并探索创新选择，例如将HBM直接堆叠在SoC之上。
这种定制化趋势有望为HBM行业带来新的设计和定价策略。随着内存技术变得更加专业化和适合特定需求，它为新的HBM技术时代铺平了道路，该时代的特点是创新、专业化和摆脱了今天的一刀切方法。HBM4及以后的这种演变表明了高速存储器技术的动态和快速发展。
HBM4的另一个突出特点是它从目前的12层(12Hi)堆栈过渡到更先进的16层(16Hi)堆栈，增加了内存模块容量。这种转变预计将于2027年完成，需要使用新的混合键合技术来增加层数，同时保持存储堆栈的完整性。
尽管HBM4将彻底改变内存市场，但仍需数年时间。因此，HBM3E将有相当长的寿命。
原文链接：
https://www.tomshardware.com/pc-components/gpus/hbm4-memory-to-double-speeds-in-2026-2048-bit-interface-to-revolutionize-artificial-intelligence-and-hpc-markets-report
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