一文看懂车规级芯片分类



智能电动汽车基本概念


自动驾驶: 用传感器如雷达、摄像头替代人眼,用算法芯片去替代人脑,再用电子控制去替代人的手脚,最终实现由智能电脑来控制汽车,实现自动驾驶。


车联网:车联网指按照一定的通信协议和数据交互标准在“人-车-路-云“之间进行信息交换的网络


智能汽车:可理解为“自动驾驶”+“车联网


智能电动汽车:智能驾驶与电动车有着天然的关联性,电动车采用电动控制,智能驾驶能够帮助解决电动车的充电节能等核心问题




计算 存储
MCU--SoC芯片

汽车传感器
感应汽车运行工况,信息转化成电信号


功率器件
电能变换和控制

发展新趋势
SI-IGBT-SIC-MOFET


碳化硅功率器件制造原理与传统硅基相似,但因为材料性质的改变,所需设备和技术难度有增加。


碳化硅产业链大部分难点在衬底生长环节,不过在器件制造过程中的难度也有所增加,主要体现在部分工艺需要在高温下完成:


(1) 掺杂步骤中,传统硅基材料可以用扩散的方式完成掺杂,但由于碳化硅扩散温度远高于硅,无法使用扩散工艺,只能采用高温离子注入的方式;


(2) 高温离子注入后,材料原本的晶格结构被破坏,需要用高温退火工艺进行修复。碳化硅退火温度高达1600°C,这对设备和工艺控制都带来了极大的挑战。

除了碳化硅器件自身,与其配套的其他材料的也要围绕着高温进行改变例如:


(3) 碳化硅器件工作温度可达600°C以上,组成模块的其他材料,如绝缘材料、焊料、电极材料、外壳等也无法与硅基器件通用;


(4) 器件的引出电极材料也需要同时保证耐高温和低接触电阻,大部分材料难以同时满足两条要求


备注:文章来源于车规功率半导体前沿,版权归原作者所有,信息仅供参考,不代表此公众号观点,如有侵权请联系删除!



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