2013 ~ 2015年,SK海力士和AMD凭借第一代高带宽存储器(HBM)占据了存储器行业头部位置,目前SK海力士的市场占有率仍处于领先地位。SK海力士为了保持和发展自己的地位,必须适应客户的需求,特别是在人工智能领域,为此,SK海力士正在考虑如何为大客户制造“差异化”的HBM产品。
SK海力士高级封装开发(Advanced Package Development)负责人Hoyoung Son表示,“随着技术的灵活性和可扩展性变得至关重要,开发面向客户的AI存储器需要新的方法。”
在性能方面,带有1024位接口的HBM内存已经发展得相当快:它从2014 - 2015年的1 GT/s的数据传输速率开始,到最近推出的HBM3E存储设备达到9.2 GT/s - 10 GT/s。对于HBM4,内存被设置为传输到2048位接口,这将确保比HBM3E有稳定的带宽改进。
但根据Son的说法,有些客户可能会从基于HBM的差异化(或半定制)解决方案中受益。
Son在接受《BusinessKorea》采访时表示,“为了实现多样化的AI,AI存储器的特性也需要变得更加多样化。我们的目标是拥有各种能够应对这些变化的先进封装技术。展望未来,我们计划提供差异化的解决方案,以满足任何客户的需求。”
对于2048位接口,许多HBM4解决方案可能是定制的,或者至少是半定制的,这是基于我们从官方和非官方信息中了解到的关于即将到来的标准。一些客户可能希望继续使用中间层(但这次它们将变得非常昂贵),而另一些客户则倾向于使用直接键合技术将HBM4模块直接安装在逻辑芯片上,这也很昂贵。
制造差异化的HBM产品需要复杂的封装技术,包括(但不限于)SK海力士的Advanced Mass Reflow mold Underfill (MR-RUF)技术。鉴于该公司在HBM方面的丰富经验,它很可能会想出别的办法,尤其是差异化的产品。
原文链接:
https://www.anandtech.com/show/21283/sk-hynix-mulls-differentiated-hbm-memory-amid-ai-frenzy
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