GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)同为性能优异的宽禁带半导体材料,二者在击穿电场、高温性能、高功率处理能力以及化学稳定性等方面存在共同之处,但相比之下,GaN在开关频率和能效上更加突出,因此更适合高频应用领域,有助于实现高效功率转换、减少开关损耗、降低热耗散、缩小元件尺寸等。按应用划分,GaN主要面向光电子、射频通讯、功率半导体三大应用领域,对应消费电子、无线通信、数据中心、汽车、航空航天、国防军工等细分场景。其中,光电子是GaN最快普及的应用,至今已有很多年的发展历史,但GaN真正“火”起来是在近几年的功率半导体市场,并首先崛起于消费电子快充应用。根据TrendForce集邦咨询《2024全球GaN Power Device市场分析》数据显示,2020年全球GaN功率半导体市场规模为0.5亿美金,至2022年成长至1.8亿美金,年复合增长率约53%。其中,2022年的市场规模相比2021年大幅增长了125%。 也就是在这一年,GaN高速渗透快充市场,并开始向家电、智能手机等其他消费场景拓展;与此同时,新能源汽车、光储充、数据中心等产业的迭代升级,使得GaN作为更为符合新需求的理想材料之一亦被寄予了厚望。在此背景下,GaN厂商从低功率朝向高功率市场延伸便顺理成章。然而,据集邦化合物半导体观察,一方面,快充、适配器等消费电子市场不断成熟,可供厂商发挥的空间、可分的“蛋糕”持续缩小;另一方面,在汽车、数据中心等高功率应用领域,由于技术可靠性、成本等问题,多数GaN厂商处于产品研发、验证、送样、项目合作阶段,真正落地的案例鲜少,这也侧面反映GaN打开高功率市场需更多的技术和时间沉淀。
02
GaN产业步入整合期,量到质的改变开始显现
为了突破高压大功率市场,不少厂商开始尝试新结构、新工艺路线,其中包括有望全面解锁GaN优良特性的垂直GaN元件,但这条路并不好走。随着时间的推移,各家厂商面临前期大量投入难以兑现的压力,而持续创新的研发投入需求则带来了资金的压力,多方面承压之下,退场者随之出现。据集邦化合物半导体不完全统计,今年1-3月,美国垂直GaN器件厂NexGen Power Systems与Odyssey Semiconductor相继宣布倒闭、破产。同样地,GaN头部厂商也面临更进一步发展以及长远立足的难题,于是有了GaN Systems并入功率半导体大厂英飞凌(Infineon),Transphorm并入全球半导体芯片大厂瑞萨电子(Renesas),Odyssey Semiconductor并入Power Integrations(PI)。虽然没有出现产能过剩或恶性价格战等现象,但GaN功率半导体市场显然也进入了一轮洗牌调整期。从并购、倒闭破产案可见,未来能够驰骋GaN“沙场”的定是具备过硬综合竞争力的厂商,这其实对于GaN产业而言利大于弊,因为优势资源的不断集中有利于推动技术加快产业化,实现量产应用。在供应链资源大整合之际,厂商的技术沉淀与项目开发进展也到了一个新的阶段,随之而来的便是GaN技术逐步从量到质的改变。据集邦化合物半导体了解,经过几年的技术储备,GaN相关厂商目前在消费电子增量市场、电动汽车、光储充、数据中心等市场都取得了更多实质性的进展,并逐步收获成果。 以汽车和新能源应用为例,纳微半导体(Navitas)2023年针对车载OBC及路边充电桩场景引入新的GaNSafe™技术(配合其SiC技术),截至今年第二季度,纳微22kW车载充电机(OBC)方案已有15个客户项目在推进至评审阶段,其预计电动汽车领域将在2025年底获得首批由GaN技术带来的收入。 在太阳能/储能市场,纳微此前已打入美国前五大太阳能设备制造商中三家的供应链,截至今年第二季度,纳微已有6个相关的客户项目推进至评审阶段,预计将于明年在美国实现GaN基微型逆变器的量产。国内厂商中,镓未来(GaNext)实现了国产GaN突破光伏微逆市场,其集成型Cascode 技术GaN功率器件设计已用在微型逆变器龙头厂商的2000W新型逆变器中;氮矽科技也与全球头部逆变器设计公司及知名制造商建立了战略合作关系,共同开发一款基于GaN技术的新一代微型逆变器。汽车应用方面,氮矽科技今年发布了一款超高开关频率(>100MHz)驱动芯片,适用于高速汽车激光雷达系统;同时,该公司正在推进多款100V集成驱动产品的车规级验证,这些产品主要适用于车载无线充和DC-DC;镓未来目前也正在推进产品的车规级认证,同步与车厂展开相关项目研究;IDM厂商能华微则在推进1200V产品的车规级认证······
短期而言,消费电子市场仍将是功率GaN的主舞台,并且,家电、智能手机等更多消费电子应用正在为GaN提供新的发展空间。但长期而言,电动汽车、数据中心等将成为GaN更重要的增长引擎。 据TrendForce集邦咨询最新报告《2024全球GaN Power Device市场分析》显示,长远来看,GaN功率半导体市场的主要动力将来自电动汽车、数据中心、电机驱动等场景,受此驱动,全球GaN功率元件市场规模预估从2023年的2.71亿美金左右上升至2030年的43.76亿美金,年复合年增长率(CAGR)高达49%。其中,非消费类应用的比例预计将从2023年的23%上升至2030年的48%。足见,电动汽车、数据中心、电机驱动等应用动能强劲,GaN功率半导体市场未来可期,这也侧面解释了英特尔(Intel)、台积电(TSMC)等集成电路赛道的大厂同样青睐GaN的原因。其中,英特尔去年底就透露已集成CMOS硅晶体管与GaN功率晶体管,用于高度集成的48V设备。从区域市场层面观察,GaN正在吸引更多的战略投资。以中国香港为例,该地在7月底启动了首条超高真空GaN外延片中试线,由香港科技园公司与GaN外延技术商麻省光子技术(香港)有限公司联合于7月底举行了启动仪式,麻省光子技术预计将在香港投资至少2亿港元,带动当地化合物半导体产业发展。可以预见,未来会有更多玩家和资金涌入GaN功率半导体领域,而市场竞争也将逐步激烈化。然而,市场格局目前扑朔迷离,未来谁能占据龙头宝座仍是未知数。TrendForce集邦咨询指出,从产业发展进程来看,Fabless(无晶圆厂)公司在过去一段时间里表现较为活跃,但随着产业不断整合以及应用市场逐步打开,未来传统IDM大厂的话语权有望显著上升,为产业格局的未来图景带来新的重大变数。当前,从商业模式划分,GaN玩家包括英飞凌、瑞萨(Transphorm)等传统综合型的IDM(集成器件制造)大厂,PI、纳微、EPC等Fabless设计厂,英诺赛科、能华微等专业型IDM厂。在消费电子应用仍占大比重的背景下,英诺赛科占据较大的市场份额,加上其努力推广工业应用,整体市占率位居前列。据TrendForce集邦咨询数据显示,2023年GaN功率半导体市占率前五大厂商分别是英诺赛科、PI、纳微、EPC、英飞凌。而数据中心、电机驱动、电动汽车、光伏逆变器等更高功率的应用对厂商的集成整合能力以及产业链协同效应等各方面提出了更高的要求,因此,英飞凌、瑞萨、TI等传统IDM厂商,以及TI等在这方面的优势将逐步显现。据集邦化合物半导体观察,作为全球最大的功率半导体以及车用半导体厂商,目前英飞凌正在充分发挥和融合Si、SiC以及GaN的独有优势,技术创新与集成能力以及综合成本优势有望逐步凸显。Fabless厂商中,纳微也在发挥其在SiC、GaN以及驱动技术的集成能力和协同优势,筑高自身的竞争壁垒。而英诺赛科、能华微等专业型厂商技术专注度高、创新速度快、决策链条短、市场灵活性高,能够以深厚的技术积累,适时调整产品线和业务战略,快速响应GaN市场新需求。综合而言,不同模式下的厂商实力与水平各有千秋,布局策略和发展路线也有所不同,目前在新兴应用赛道上各方都处于前期起跑蓄力阶段,胜负未分。不过,英飞凌、TI等厂商今年明显向GaN倾注了更多资源,均展现出勇夺龙头宝座之势。未来,GaN功率半导体的“天平”将倾向哪一方?答案或许将随之市场的打开逐步揭晓。
集邦化合物半导体 陈佳纯
TrendForce集邦咨询推出《2024全球GaN Power Device市场分析》,聚焦全球市场发展,重点分析供应链各环节发展情况及主要厂商动态。以下为报告目录: