白皮书下载|三相集成GaN技术如何更大限度地提高电机驱动器的性能

目前，逆变器多使用绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 作为电源开关来实现，但由于总体损耗较高，开关频率和电力输送受到限制。随着宽带隙技术的进步，在电机驱动器中使用基于氮化镓 (GaN) 的电源开关有助于提高功率密度、电力输送能力和效率。

本次为大家介绍的是《三相集成 GaN 技术如何更大限度地提高电机驱动器的性能》白皮书。该白皮书探讨了德州仪器的 DRV7308 三相 GaN 智能电源模块 (IPM) 如何持续助力提高电器和 HVAC 系统电机驱动器的功率密度、电力输送能力和效率，同时节省系统成本并提高可靠性。

《三相集成 GaN 技术如何更大限度地提高电机驱动器的性能》白皮书讨论了使用基于氮化镓 (GaN) 的电源开关对电机驱动器效率提升的作用以及注意事项：

GaN 如何提高逆变器效率 ：

在开关损耗方面，与 MOSFET 和 IGBT 相比，GaN FET 的损耗要低得多。

使用 GaN 电源开关提高电机性能 ：

由于 GaN 即使在较低的 dv/dt 下也能提供低得多的开关损耗，因此能够以高得多的频率进行开关以提高电机效率和性能。

在电机驱动器中使用 GaN 时的设计注意事项 ：

设计人员通常必须考虑 dv/dt 对电机绝缘、轴承寿命、电磁干扰 (EMI) 和可靠性的影响。