8月13日，北京市生态环境局公示了天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目（以下简称“二期项目”）环评审批。
文件指出，随着北京天科合达创新能力、市场占有率的不断提升，行业内影响力不断增强，计划扩大生产规模，拟在现有厂区西侧地块建设二期项目。
二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块为现有工程东侧空地；项目总占地面积52790.032m2，总建筑面积105913.29m2，包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。公司拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施。该项目用于扩大公司碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。据集邦化合物半导体不完全统计，截止今日，天科合达旗下碳化硅衬底生产项目已达5个。资料显示，天科合达在北京的现有厂区为公司第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目（下文简称“一期项目”）。2020年8月17日，一期项目在北京市大兴区开工，于2022年11月10日完成了竣工环境保护自主验收。一期项目总投资9.8亿元，总占地面积33687.914m2，建筑面积55167.71m2，包括生产厂房、化学品库、危 废库、一般固废库、科研与办公用房、食堂及宿舍楼等。建设1条碳化硅晶片生产线，年产6英寸碳化硅衬底15万片。2019年12月27日，江苏天科合达碳化硅晶片一期项目顺利建成投产。该项目总投资5亿元，占地面积26000平方米，可年产4-8英寸碳化硅衬底6万片。2023年8月8日，江苏天科合达徐州碳化硅晶片二期项目开工，项目总投资8.3亿元，达产后，可实现年产碳化硅衬底16万片。2023年12月28日，该项目已全面封顶，预计今年投产。2024年2月27日，由天科合达子公司深圳重投天科负责运营的第三代半导体碳化硅材料生产基地也于在深圳宝安区启动，预计今年衬底和外延产能达25万片。近年来，因在电动汽车等电气领域表现优异，碳化硅功率器件大受市场追捧。据TrendForce集邦咨询《2024全球SiC Power Device市场分析报告》显示，碳化硅在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球碳化硅功率器件市场规模有望达到91.7亿美金。市场对碳化硅功率器件的需求增长也拉动了碳化硅衬底材料的出货。天科合达在2023年11月表示，2023年下半年，公司营收首次突破10亿元，截至2023年10月份，公司营收已经较2022年全年翻一番。据此来看，仍处于上升周期的碳化硅功率器件市场，对碳化硅衬底的需求是推动天科合达持续扩产的主要动力。后续，随着天科合达的碳化硅衬底项目正式投产，国内碳化硅衬底产量再将迎来提升。 
TrendForce集邦咨询推出《2024全球SiC Power Device市场分析报告》，聚焦全球市场发展，重点分析供应链各环节发展情况及主要厂商动态。以下为报告目录：
