在全球科技高速发展的背景下，人工智能技术的进步尤为突出，这对存储技术提出了更高的要求。尤其是高速非易失存储技术，已成为推动多种技术革新的关键因素。然而，目前主流非易失存储技术如DRAM和NAND Flash闪存，其编程速度多停留在百微秒级，难以满足人工智能等领域对高速数据处理的需求。
图源：A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory. Nature Electronics
在这一背景下，复旦大学的一支研究团队在周鹏教授和刘春森研究员的带领下，取得了一系列令人瞩目的成就。他们在二维半导体结构领域的探索，成功开发了一种超快闪存技术，这不仅可能改变存储技术的未来，也为中国在全球半导体产业中的地位带来新的突破。
据报道，该团队研发的新型闪存技术采用了超界面工程技术和自对准工艺，结合了超快存储叠层电场设计理论，首次实现了在规模化二维闪存中的应用，并成功将闪存器件的沟道长度缩减至8纳米，远低于硅基闪存的物理尺寸极限（约15纳米）。这一技术不仅打破了国际半导体技术的限制，还展示了纳秒级非易失编程速度，其良率高达98%，超出国际半导体技术路线图对闪存制造89.5%的良率要求。
这项研究成果已经在国际顶尖期刊《自然-电子学》上发表，并引起了广泛关注。论文通讯作者为复旦大学微电子学院周鹏教授和刘春森研究员，其中刘春森研究员和博士生江勇波、曹振远为论文第一作者。这一突破性研究得到了包括科技部重点研发计划、基金委重要领军人才计划等多项国家级资助的支持。
这项技术的成功研发，不仅标志着中国在全球半导体存储技术领域取得了重要进展，也预示着未来存储技术可能会因为这种超快、高效率的闪存技术而被彻底颠覆，进一步推动人工智能和大数据等领域的发展。复旦大学的这一成就，也为中国存储芯片产业的独立自主和国际竞争力提供了强有力的支
说明：本文部分素材来自网络公开信息，由作者重新编写，转载请备注来源，本平台发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。
