3DDRAM行业报告:3DDRAM时代,国产DRAM迎来变革契机

智能计算芯世界 2024-08-10 07:30

本文来自“3D DRAM行业报告:3D DRAM时代或将到来,国产DRAM有望迎来变革契机”,随着摩尔定律推进速度放缓,DRAM技术工艺也逐渐步入瓶颈期。目前DRAM芯片工艺已到10nm级别,尽管10nm还不是DRAM的最后极限,但多年来随着DRAM制程节点不断缩小,工艺完整性、成本、电容器漏电和干扰等方面的挑战愈发明显,要在更小的空间内实现稳定的电荷存储和读写操作变得日益困难。3D NAND Flash早已实现商业化应用,3D DRAM技术尚在研发中,但随着AI浪潮,大容量、高性能存储器需求将大幅增加,3D DRAM有望成为存储器市场的主流产品。
2024年3月,三星在加州举行的Memcon 2024会议上公布了其3D DRAM开发路线图,并计划在2025年推出基于其垂直通道晶体管技术的早期版本的3D DRAM。海力士在VLSI 2024会议上公布了其五层堆叠的3D DRAM产品,生产良率已达56.1%。美光则在2019年就开始了3D DRAM的研究工作。存储巨头纷纷布局3D DRAM技术,产业生态或迎变局。
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