限时回放
2024年7月31日，“ROHM's EcoGaN™ & LSI Technology”在线研讨会得到了大家的支持，再次谢谢大家的热情参与！错过本次直播的小伙伴，可以点击下方查看回放。
EcoGaN™
介绍
GaN功率器件产品页面
EcoGaN™ Power Stage IC
“BM3G0xxMUV-LB”
ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC技术
基于EcoGaN™系列的创新型电源解决方案
Nano
介绍
实现节能和小型化的罗姆"Nano"电源技术
Nano Pulse Control™系列产品
“Nano”电源技术小册子
解决电源IC困扰的ROHM先进电源技术“Nano”
除此以外，罗姆君选取了研讨会中一些有代表性的提问在这里与大家分享，供大家回顾。
Q
罗姆主要发力GaN产品，除了耐压较SiC低以外，是否其它方面指标更加有优势？
A
氮化镓的优势主要是在频率以及开关特性，例如开关损耗的降低。
Q
视频提到有较低的驱动电压和很小寄生参数，在开关电源应用，直流无刷电机驱动，在高频率下，漏源极需要加RC吸收电路来抑制过冲吗？
A
过冲主要是dv/dt与线路寄生杂感的影响。按实际情况，判断是否需要加RC吸收。
Q
目前所说的GaN技术，主要是应用在哪种元器件上，MOS管吗？
A
GaN HEMT是高电子迁移率晶体管，本身就是与MOS类似的开关器件，但是结构与MOSFET有不同。具体可前往罗姆官网查看。
Q
GaN加工过程中如何解决栅极退化的问题
A
在开发阶段，就会对栅极做可靠性验证。
Q
半导体不同封装对GaN的性能影响有多大？
A
封装主要影响器件的热阻即散热以及可靠性。散热会影响实际电流能力，可靠性方面例如H3TRB，TC等都会与封装有关。
Q
开关频率特性上，200kHz比传统100kHz高了一倍多，这个可以实现哪些优势
A
感性原件，例如电感，变压器体积可以减小。
Q
现在的GaN产品电流、电压都不是很大，普通散热应该可以满足。发展双面散热产品是有更大功率的产品生产吗？
A
GaN封装很小，目的就是为了小型化，所以散热器也很小。因此要发挥更高的功率，散热方面就需要改善，双面散热就是其中一种。
Q
请问罗姆EcoGaN是什么封装
A
DFN封装 目前是5mm*6mm。
*EcoGaN™ 和Nano Pulse Control™ 是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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END
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