新型 890 nm 高速红外 (IR) 发光二极管
高速器件采用表面发射器芯片技术
优异的 VF 温度系数达 -1.0 mV/K
Vishay 推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型 890 nm 高速红外 ( IR ) 发光二极管，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211 基于表面发射器芯片技术，优异的 VF 温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。
日前发布的发光二极管 100 mA 驱动电流下典型辐照强度达 235 mW/sr，比上一代解决方案提高 50 %。器件开关时间仅为 15 ns，典型正向电压低至 1.5 V，半强角只有 ± 10°，适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中，TSHF5211 可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。器件符合 RoHS 和 Vishay 绿色标准，无卤素，无铅 ( Pb )，可采用温度达 260 °C 的无铅焊接。
TSHF5211 现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为 20 周。
Vishay 一款采用透明无色引线型塑料封装
新型 890 nm 高速红外 ( IR ) 发光二极管
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