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8 月 6 日消息,SK 海力士与美国商务部双方已签署了一份不具约束力的初步备忘录。SK 海力士的美国先进封装厂将获得至多 4.5 亿美元直接补贴和 5 亿美元贷款。
SK 海力士还计划申请相当于合格资本支出 25% 的投资税收抵免。SK 海力士于今年 4 月 4 日宣布,将在印第安纳州西拉斐特投资 38.7 亿美元(当前约 276.19 亿元人民币),建造适于 AI 的存储器先进封装生产基地,同时与普渡大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。
SK 海力士的西拉斐特生产基地将拥有一条下一代 HBM 内存封装生产线,预计于 2028 年下半年开始量产。
美国商务部长吉娜·雷蒙多表示,随着这一消息的宣布,美国现在已获得全球五大领先半导体制造商的承诺,他们将在美国政府的财政援助下在美国建设芯片工厂。
SK海力士这座耗资38.7亿美元的工厂将封装高带宽存储器(HBM)芯片,供英伟达等AI芯片制造商使用,而这家韩国公司在这一领域占据主导地位。据美国商务部官员表示,SK海力士预计将从韩国向其美国工厂运送自己的存储芯片。该工厂预计将创造约1000个就业岗位。除了拨款和贷款外,SK海力士预计将像其他在美国建厂的公司一样享受25%的税收抵免。
雷蒙多表示,这项投资是一笔“大买卖”,因为这意味着美国将“拥有世界上最安全、最多样化的供应链,以及为AI提供动力的先进半导体”。SK海力士生产的先进存储芯片是创建AI的重要组成部分。
SK海力士有意扩大其在向英伟达供应HBM芯片方面对三星电子和美光的领先优势,这一优势帮助其市值自2022年底以来翻了一番。封装是将芯片组装并准备连接到设备的过程,已成为中美技术冲突的关键领域。
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