极紫外(EUV)光刻新技术问世！大幅提升半导体制造效益

来源：日本冲绳科学技术大学院大学

近日，日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新消息，Tsumoru Shintake 教授团队提出了一种超越半导体制造标准的极紫外 (EUV) 光刻技术。

该研究团队称，该技术超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可使用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。这将有助于半导体行业实现更加环保的可持续发展。

这项技术之所以能够实现，是因为解决了该领域过去被认为无法克服的两个问题。第一个问题涉及一种仅由两个镜子组成的新型光学投影系统。第二个问题涉及一种新方法，可以有效地将 EUV 光引导到平面镜（光掩模）上的逻辑图案上，而不会阻挡光路。

   EUV 光刻面临的挑战

目前人工智能(AI) 、手机等移动设备中使用的低功耗芯片以及我们日常生活中不可或缺的机器中使用的高密度 DRAM 内存 ……，所有这些先进的半导体芯片都是使用 EUV 光刻技术制造的。然而，半导体的生产面临着设备高功耗和复杂性的挑战，这大大增加了安装、维护和功耗的成本。