本文的关键要点
通过仿真确认了三相调制逆变电路的电路效率和1个MOSFET的损耗。
通过在三相调制逆变电路中对PrestoMOS™和普通SJ MOSFET进行比较，证实使用反向恢复特性出色的PrestoMOS™的情况下效率更高（损耗更低）。
在三相调制逆变电路中，反向恢复特性出色的PrestoMOS™在效率方面优势显著。
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本文将介绍第四个主题，也是本系列文章的最后一篇“通过三相逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率”。这次是通过仿真来进行效率比较的。
逆变电路的种类和通电方式
三相调制逆变电路的基本工作
通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试结果）
通过三相调制逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）
通过三相调制逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）
继上一篇中通过双脉冲测试进行损耗比较的内容之后，本文中我们将对本系列文章的评估对象——三相调制逆变电路中的效率进行比较。MOSFET与双脉冲测试中使用的产品型号一样，即PrestoMOS™ R6030JNx和普通的SJ MOSFET R6030KNx。这次是通过仿真来进行效率比较的。图1为仿真电路。
图1 三相逆变器的仿生电路图
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仿真条件是根据双脉冲测试电路中所用的条件进行了如下设置：
1）栅极驱动电压VGS：0V to 12V
2）电源电压Vin：280Vdc
3）电感LU、LV、LW：8mH
4）开关频率fsw：5kHz
5）栅极电阻RG(on)：根据器件进行变更（为了使导通的di/dt达到100A/μs）
▪ PrestoMOS™ R6030JNx：60Ω（并联3个180Ω电阻）
▪ R6030KNx：180Ω
6）栅极电阻RG(off)：22Ω
7）输出功率POUT：100W、300W、500W、700W、1000W
图2为仿真得到的效率。图3为仿真过程中1个MOSFET的损耗。
图2 效率结果（仿真结果）
图3 1个MOSFET的损耗（仿真结果）
从结果可以看出，PrestoMOS™ R6030JNx（红线）的效率更高，其优异的反向恢复特性是非常有助于提高效率的。另外，关于损耗，当输出功率为1000W时，1个MOSFET的损耗改善了0.5W，而使用6个MOSFET时，这些MOSFET加起来可以改善3W的损耗。
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