据中国贸易救济信息网7月29日消息，美国英飞凌科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美国英飞凌技术奥地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根据《美国1930年关税法》第337节规定向美国国际贸易委员会（ITC）提出申请，指控中国氮化镓(GaN)芯片厂商英诺赛科及其子公司对美出口、在美进口及销售的特定半导体器件及其下游产品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）侵犯了其专利，违反了美国337条款。
此次受指控公司包括：英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（Innoscience (Suzhou) Technology Company, Ltd. ）、英诺赛科（苏州）半导体有限公司（Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd.）、英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、美国英诺赛科（Innoscience America, Inc. of Santa Clara,CA）。
早在今年3月，英飞凌就通过其官网发布公告称，为防止自己拥有的与氮化镓技术相关的美国专利受到侵犯，已对英诺赛科提起诉讼，且正在寻求永久禁令。涉及起诉的专利权利要求涵盖了氮化镓功率半导体器件的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有的氮化镓器件可靠性和性能的创新。
2024年3月14日，英飞凌已向美国加州北区地方法院对英诺赛科提起专利侵权诉讼。6月4日，英飞凌又向德国慕尼黑地方法院对英诺赛科及其分销商提起相应诉讼，并成功申请了慕尼黑地方法院的初步禁令，禁令于今年6月12日发布。根据该法院命令，英诺赛科不得在纽伦堡的“PCIM Europe2024”展会上展示涉侵权产品。
值得注意的是，英诺赛科在7月5日又涉及了另一项专利纠纷，氮化镓（GaN）技术厂商宜普电源转换公司（EPC）对英诺赛科提起“337调查”申请。7月8日，EPC发布声明称，美国国际贸易委员会最新确认其两项关键专利（294号和508号专利）有效，并且判定英诺赛科和其子公司英诺赛科美国公司侵犯了EPC的294号美国专利。而另一项508号美国专利则未受到英诺赛科侵权。美国国际贸易委员会这项最终决定预计将于2024年11月5日发布。
资料显示，成立于2017年的英诺赛科，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的中国高新技术企业，公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，主要产品涵盖从低压到高压（15V-1200V）的氮化镓功率器件。该公司发力高端LED驱动领域，曾于2021年发布行业内效率领先的超薄200W LED驱动电源解决方案。自2022年开始，公司积极扩充氮化镓产品的全球销售网络，开拓海外市场，计划在海外设立综合研发及生产中心，并建立销售中心。
据了解，英诺赛科拥有珠海及苏州两座8英寸硅基氮化镓生产基地，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，同时也是全球最大的8英寸硅基氮化镓器件制造商，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。
在市场份额方面，根据Frost & Sullivan的数据，2023年，英诺赛科在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一，市场份额达33.7%。英诺赛科年报显示其营业收入由2021年的6821.5万元增加至2023年的5.9亿元，三年收入复合年增长率高达194.8%。然而其招股书显示，近三年其净利润连年亏损。
在专利积累方面，截至2023年12月31日，英诺赛科在全球有约700项专利及专利申请（已经获得的专利累计为213项，其中包括173项发明专利），涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。
目前英诺赛科尚未对英飞凌在美国ITC对其提起337调查申请一事进行回应。
根据惯例，美国国际贸易委员会将于立案后45天内确定调查结束期。除美国贸易代表基于政策原因否决的情况外，美国国际贸易委员会在337案件中发布的救济令自发布之日生效并于发布之日后的第60日起具有最终效力。
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