7月26日晚间，全球第二大内存芯片制造商SK海力士表示，已决定投资约9.4万亿韩元(约合68亿美元)在韩国龙仁市建设当地第一家芯片工厂。按照计划，SK海力士将于明年3月开工建设龙仁集群的首座厂房，并于2027年5月竣工。
SK海力士声称，在首座厂房的建设完成后，也将依次推进剩余的三座厂房建设，将龙仁集群发展成为全球AI芯片生产基地。
SK海力士在一份监管文件中表示，这项投资旨在满足对AI芯片的需求，并确保未来的增长。公司制造技术主管Kim Young-sik表示："龙仁半导体集群将成为SK海力士中长期发展的基础，也将是与合作伙伴公司携手打造的创新和共赢的空间。"
该公司计划在龙仁首座工厂生产以HBM为代表的面向AI的存储器和新一代DRAM产品，也将根据竣工时的市场需求，做好生产另外产品的准备。
在此之前，SK海力士于今年4月公布了一项计划，将投资约38.7亿美元，在美国印第安纳州建造一座先进封装厂和AI产品研发设施。
根据最新业界消息，三星HBM3E可望于第三季获得认证英伟达出货，待相关程序完成后，将可望量产供货。倘若未通过，这些预生产的产品可能成为库存，而三星HBM验证的消息有望在近期三星财报会议中获得确认。
这次竞赛中的黑马美光，则计划下半年完成12层HBM3E的量产准备，明年供应给英伟达等主要客户。报道指出，目前尚未有存储公司决定向英伟达供应12层HBM3E，英伟达很可能考虑三间公司的出价，以满足需求并获取优惠的价格。
业界人士指出，即使12层HBM3E价格可能因竞争加剧而略下滑，但下半年显然是决定HBM市场格局的时候，“关键在于各家公司能多大程度提高良率”。
谁先向英伟达提供12层HBM3E产品，将决定SK海力士能否维持HBM领先地位、三星电子能否扭转趋势，抑或是美光迎头赶上，这些都将牵动每家公司的市场地位和财务健康状况。
