7月25日，芯合半导体有限公司在北京国家信息技术应用创新展示中心举办了产品发布会，对外宣告了重要里程碑：正式发布自主研发生产的多款碳化硅功率芯片产品，包括SiC SBD、SiC MOSFET两个系列。
针对碳化硅芯片的可靠性、成本以及效率等关键问题，与会嘉宾们展开了深入且富有建设性的座谈交流，共同展望碳化硅芯片在未来半导体行业中广阔无垠的应用前景，达成多项合作意愿。
芯合产品为国产碳化硅市场注入新活力
芯合半导体重点致力于开发碳化硅分立器件和功率模块及应用，汇聚了一支技术和产业化经验丰富的核心团队，拥有一系列产业产权技术，专利布局涵盖了SiC SBD、MOSFET器件新型元胞结构、先进终端结构、制备关键工艺以及功率模块等领域。
在本次发布会开场致辞中，芯合半导体总经理赵清介绍道，“我们是一支专业的从事碳化硅功率器件设计制造的老兵团队，这支队伍可以回溯到8年前，经历了碳化硅晶圆制造从4寸到6寸的变迁过程，积累了丰富的经验和教训。”
从产业模式来看，芯合半导体采用垂直整合，即IDM模式，业务范围涵盖芯片设计、晶圆制造及封装测试。赵清认为，碳化硅产业技术壁垒主要来自于制造环节的Know-how，IDM模式会给客户带来更多的价值，包括：产品全生产周期的可控性，产品迭代周期会更快；生产质量也更可控，产品交付更有保障；同时，IDM模式还可以为客户做定制化的开发，可以更好地服务于客户。
据了解，目前芯合半导体的北京碳化硅产线拥有先进的碳化硅生产设备，拥有CNAS认证的产品性能和可靠性检测实验室。而在未来几年中，芯合半导体也有着清晰的发展规划和宏伟蓝图，计划建设8吋线，以进一步增强生产能力，更好地满足市场对高性能碳化硅功率器件的需求。
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5大SiC MOSFET新品重磅发布
可靠性和一致性达到国际领先水平
紧接着，本次发布会进入另一个重磅环节。
芯合半导体总工程师王敬对已经完成研发的SiC MOSFET 及SBD系列产品进行发布宣讲。
本次发布会，王敬重点介绍了5款国际领先的1200V SiC MOSFET系列产品，包括13mΩ、17mΩ、28mΩ、40mΩ、80mΩ。
王敬指出，芯合半导体非常重视碳化硅芯片可靠性和一致性，在晶圆生产过程中的持续执行高标准、严要求，本次芯片产品发布中，无论是从阈值电压、导通电阻、产品良率，还是产品的高温性能来看，均已达到国际领先水准。
他还特别强调了对发布产品从静态到动态的全方位测试，通过极为严苛的测试条件，有力地保障了新产品的高可靠性。新品发布后，现场进入了热烈的探讨氛围中，与会嘉宾们围绕碳化硅功率芯片展开了深入交流。从芯片的性能参数、应用场景到未来趋势，各方进行了充分而细致的探讨。大家介绍了各自公司的业务进展，并对芯合半导体公司在碳化硅芯片领域的合作前景表达了热切期待。随着了解的逐步深入，不少嘉宾现场索要新发布产品的样品带回测试，就此开启了合作的新篇章。
展望未来，赵清表示，碳化硅作为半导体领域的一款新型材料，因新环境下提出的多元需求，在其卓越性能和优秀品质的基础上，从设计到应用开发的各个环节均面临着前所未有的挑战。在近期中央委员会召开的第三次全体会议之后，结合中国的独特能源结构，碳化硅的产业发展获得了充分肯定。
他表示，“我对芯合半导体满怀信心，在国产化应用的浪潮中为大家提供更具价值的服务，并衷心期望能与各界携手，共同将碳化硅事业推向更为辉煌的高峰。”
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