台积电2.0与英特尔IDM2.0

EETOP 2024-07-26 12:06
作者: Daniel Nenni

当英特尔凭借IDM 2.0 进入代工业务时,我印象深刻。是的,英特尔之前曾尝试过代工业务,但这次他们通过IDM 2.0 改变了公司的面貌,可以说是全力以赴。进展令人印象深刻,今天我认为英特尔通过提供台积电领先业务的可信赖替代方案,处于有利地位,可以抓住台积电领先业务的份额。一个价值一万亿美元的问题是:英特尔是否会在竞争的基础上从台积电手中夺走业务?我当然希望如此,这对半导体行业的整体利益是好的。

在最近的TSMC投资者电话会议上,这是魏哲家作为董事长兼首席执行官的第一次电话会议,TSMC将其代工策略品牌化为“Foundry 2.0”。这不是策略的改变,而是基于TSMC多年来成功做法的新品牌,增加额外的产品和服务以保持客户参与。3D IC封装是一个明显的例子,但绝不是唯一的。Foundry 2.0品牌实至名归,并明显针对英特尔的IDM 2.0,我认为这很有趣,也是魏哲家聪明才智的绝佳体现。

我原以为英特尔的18A会成为突破性的代工节点,但根据TSMC的投资者电话会议,事实并非如此。TSMC的N3成为大获成功的节点,赢得了100%的主要设计订单。甚至英特尔也使用了TSMC的N3。我还没见过类似的情况,自TSMC的28nm节点以来,当时由于是唯一可行的28nm HKMG节点,导致供应紧张。历史在N3上重演,因为3nm替代品的延迟。这使得台积电生态系统成为我所见过的最强大的生态系统,不仅因为N3的主导地位,还因为TSMC快速扩展的封装技术。我原以为一些客户会坚持使用N3直到第二代N2出现,但我错了。

在台积电投资者电话会议上:

魏哲家:我们预计2纳米技术在前两年的新投片数将高于3纳米和5纳米在各自前两年的新投片数。N2将在相同功耗下提供10%到15%的速度提升,或者在相同速度下提供25%到30%的功耗提升,并且相比N3E增加超过15%的芯片密度。

魏哲家之前提到过这个,但现在我可以根据最近会议上的生态系统内部讨论确认:N2设计正在进行中,并将在今年年底开始投片。

我真的不认为台积电生态系统得到了足够的赞誉,尤其是在N3 取得压倒性的成功之后,但N2 节点本身就是一股力量:

魏哲家:N2技术开发进展顺利,器件性能和良率达到或超过计划。N2计划在2025年进行量产,其上升速度与N3相似。我们通过持续提升策略,还推出了N2家族的延伸产品N2P。N2P在相同功耗下提供进一步5%的性能提升,或在相同速度下提供5%到10%的功耗提升。N2P将支持智能手机和高性能计算应用,计划在2026年下半年进行量产。我们还推出了 A16 作为我们的下一代基于纳米片的技术,其特点是 Super Power Rail(SPR) 作为单独的产品。

魏哲家:TSMC的SPR是一种创新的、最先进的背面电力传输解决方案,迫使行业采用另一种背面接触方案以保留栅密度和器件灵活性。与N2P相比,A16在相同功耗下提供8%到10%的速度提升,或在相同速度下提供15%到20%的功耗提升,并且增加7%到10%的芯片密度。A16最适合具有复杂信号路径和密集电力传输网络的特定高性能计算产品。计划在2026年下半年进行量产。我们相信N2、N2P、A16及其衍生产品将进一步巩固我们的技术领导地位,并使TSMC抓住未来的增长机会。

祝贺台积电的持续成功,这是当之无愧的。我还祝贺英特尔代工团队做出了改变,我希望14A 代工节点能为行业提供一个值得信赖的替代品,以取代台积电。在我看来,如果没有英特尔,当然还有魏哲家的领导和对英特尔挑战的回应,我们作为一个行业不会迅速接近一万亿美元的收入大关。无论你对英伟达有何看法,但正如黄仁勋公开承认的那样,台积电和代工业务绝对是半导体行业的真正英雄。

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