湖南三安|8英寸进度再加速!设备正式搬入,预计12月份点亮通线

原创 碳化硅芯观察 2024-07-25 12:24


7月24日,湖南三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式。

电力电子事业部总经理、湖南三安总经理江协龙先生携手高管团队、各部门主管及骨干员工齐聚一堂,共同见证这一里程碑时刻。这标志着湖南三安SiC项目二期通线在即,将为全面加速8吋SiC产业布局,实现产线正式投产奠定了良好的基础。

江协龙表示,M6B的建成投产是公司发展历程中的一个重要里程碑,在新的起点上,我们将继续坚持创新驱动,在提高产能的同时,也将不断提升产品质量,打造国内先进的8吋SIC垂直整合产业链。

三安团队在M6B大楼前为进机剪彩
据悉,湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币,旨在打造6吋/8吋兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后,将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。M6B作为湖南三安布局SIC产业的重要一环,其投产情况备受关注。预计到今年12月,M6B将实现点亮通线,8吋SiC芯片将正式投产,湖南三安半导体正式转型为8吋SiC垂直整合制造商。
未来,湖南三安将充分发挥自身优势,加大研发投入,提高产能,共同推动8吋SiC芯片领域的发展。在市场拓展利好消息的加持下,三安有望加速8吋SiC从材料到器件模块直至终端应用全流程的落地实施,为我国第三代半导体产业的发展注入强大动力。

全球碳化硅产线转向8英寸“竞速”

碳化硅晶圆尺寸正在快速从6英寸向8英寸跃迁,海外主流功率半导体大厂都已经将8英寸量产提升了日程,以碳化硅全球龙头Wolfspeed为例,2023年7月,Wolfspeed宣布其8英寸工厂已开始向中国终端客户批量出货SiC MOSFET,已经开始正式量产8英寸器件。

其他海外大厂的量产时间也纷纷放在了2024年底-2026年这个节点上,并开始大规模进行投资。如果从各大厂商的布局上看,8英寸晶圆制造量产产能的布局将在2024年-2025年完成,可以说已经进入了量产前夜。

数据来源:InSemi咨询信息整合


过去,6英寸SiC晶圆一直是市场的主流选择,然而,随着电子设备对更高性能和更低能耗的需求日益增长,6英寸晶圆在某些方面开始显现出局限性。相比之下,8英寸SiC晶圆的出现,在晶圆厂的生产效率、成本效益和技术应用等方面带来了显著的优势。

首先,从生产效率的角度来看,8英寸晶圆的面积比6英寸晶圆大得多,这意味着在同样的生产批次中可以切割出更多的芯片,从而显著提高生产量和效率。这一变化不仅能够满足市场对SiC器件不断增长的需求,还能够通过规模经济降低单位芯片的成本,使得高性能SiC器件更加经济实惠。

其次,在技术应用方面,8英寸SiC晶圆的引入为电力电子器件的设计和制造提供了更多可能性。更大的晶圆尺寸允许制造商在单片晶圆上集成更多的功能区域,这对于推动器件的小型化和集成化至关重要。

此外,8英寸晶圆的制造过程中,可以采用更为先进的工艺技术,特别是在设备的选择上,8英寸的晶圆制造设备的自动化程度要比6英寸先进不少,这可以对进一步提升器件的性能和可靠性起到非常重要作用。在此前我们对行业人士的调研中,也有专家提到,下一代碳化硅沟槽结构器件的量产,在8英寸晶圆制造产线上也更容易实现。

最后,从成本效益的角度分析,虽然8英寸SiC晶圆的初始投资成本较高,但其带来的长期经济效益是显而易见的。随着生产规模的扩大和技术的不断优化,8英寸晶圆的成本将逐渐降低,而其在市场上的竞争力也将不断增强。

国内8英寸晶圆制造布局加快

视线放到国内,芯联集成在2023年度财务数据说明中,重点提到了公司将在2024年计划建成国内首条8英寸SiC Mosfet试验线。

5月芯联集成发布消息,称其8英寸SiC工程批已于4月20日顺利下线,这意味着其8英寸SiC离量产越来越近。


7月8日,芯联集成在投资者互动平台表示,其拥有1条8英寸SiC实验线,目前已实现工程批通线,8英寸SiC产线建设进展顺利,计划今年四季度开始正式向客户送样,2025年进入规模量产。 


除芯联外,今年6月,杭州士兰微电子股份有限公司宣布对外投资并签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。根据公告,该项目的总投资额为120亿元人民币。


根据公告,士兰微电子拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司(以下简称"士兰集宏")增资41.50亿元。增资完成后,士兰集宏的注册资本将由0.60亿元增加至42.10亿元。其中,士兰微电子认缴10亿元,厦门半导体投资集团有限公司认缴10亿元,厦门新翼科技实业有限公司认缴21.50亿元。


士兰表示:在汽车性能稳步提升的过程中,碳化硅正在与更多新能源汽车和功能器件实现深度融合,而碳化硅晶圆从6英寸向8英寸的过渡将有助于解决成本问题,使其在市场上的应用更加广泛。



此次投资旨在加快士兰微电子在半导体产业链的布局,并落实与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署的《战略合作框架协议》。项目公司士兰集宏将负责建设一条以SiC-MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线,产能规模为6万片/月。


第一期项目总投资70亿元,其中资本金42.1亿元,占约60%;银行贷款27.9亿元,占约40%。第二期投资50亿元,在第一期的基础上实施,建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力。


士兰微表示,本次投资将为士兰集宏"8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目"的建设和运营提供资金保障,有利于加快实现公司SiC功率器件的产业化,完善公司在车规级高端功率半导体领域的战略布局,增强核心竞争力。


写在后面:

全球碳化硅晶圆从6英寸制造转向8英寸制造的大浪潮已扑面而来,可以预见的是,8英寸的竞争只会更激烈。而国内还有许多建设完成未释放产能以及正在建设当中的6英寸产能,这些产线未来又将何去何从,在产业热度逐步回归理性的当下,这是值得我们进一步关注和讨论的话题。


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