氧空位辅助双功能表面涂层抑制富锂层状氧化物正极的不可逆相变

锂电联盟会长 2024-07-24 10:30
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摘要

晶格氧释放和过渡金属(TM)离子的迁移都通过诱导不可逆相变来挑战富锂锰基层状氧化物(LMO)正极的可循环性。在这项工作中,制备了富锂层状氧化物正极的氧空位辅助双功能表面涂层,包括尖晶石过相层和Li3PO4层。重点介绍了优化后的界面的功能作用。具体来说,在重组表面结构的过程中,氧空位作为迁移TM离子的活性位点,形成尖晶石过相,并在LMO表面传递降低的PO43-结合能。发现Li3PO4层使TM离子的迁移能垒提高到13.38 eV (LMO7.62 eV)。结果表明,尖晶石过相层和Li3PO4层协同抑制了LMO循环时的不可逆相变,从而提高了正极的锂储量。在0.2C循环200次后,优化后的正极的容量保持率为95%,而原始LMO的容量保持率为67%。本研究对优化后的双表面涂层在抑制LIBsLMO不可逆相变中的功能作用有了一定的了解。

1介绍

富锂锰基层状氧化物(LMO)正极材料成本低,理论比容量高(>250 mAh/g),这源于阳离子和阴离子在氧化还原反应中的共同参与。具体来说,在低电压(<4.5 V)下,过渡金属(TM)离子发生氧化还原反应(LiTMO2Li1-xTMO2+xLi++xe-),这与NCM三元正极材料的情况类似。在>4.5 V的高压下,阴离子(O2-)参与氧化还原反应和电荷补偿(Li2MnO3MnO2+Li2O)。然而,O2-的参与在充放电过程中引起了一系列致命的问题:在第一次充电周期中晶格氧的不可逆释放导致LMO正极的初始库仑效率低(<80%)。剩余的氧空位加速了TM离子向Li+活性位点的不可逆迁移。它触发LMO晶格从层状相向尖晶石相和岩盐相演化,最终导致容量快速衰减和电压下降。

先前有报道称,上述不可逆结构重排从材料表面逐渐发展到体相。因此,为了获得理想的LMO表面结构,人们提出了表面修饰策略,包括构建氧空位、表面涂层、表面掺杂等。值得注意的是,由于晶格氧释放,循环产生的氧空位触发TM迁移和相变。相反,在材料合成过程中形成的氧空位是正的,这可以通过改善TMs的配位环境和降低O2p波段的态密度来抑制LMO的结构降解和减轻电压衰减。显然,当晶格氧从LMO中释放出来时,表面涂层可以抑制气体的产生。此外,涂层充当物理屏障,隔离电解质与电极的直接接触。当使用Li1.5Ti0.5Al1.5(PO4)3LiTaO3LiAlO3等固态电解质作为包覆层时,反应过程中Li+的扩散动力学也得到了改善。然而,进一步揭示了由于LMO结构的复杂性,单修饰不尽人意。已有研究表明,NH4H2PO4(NH4)2HPO4可用于在正极材料表面构建尖晶石过渡层和Li3PO4涂层。这种策略大大减轻了材料的电压衰减。然而,表面多组分结构的形成和各组分的作用机制尚不清楚。

本研究利用NH4H2PO4的热分解反应重组LMO表面结构,包括氧空位、尖晶石相变层和Li3PO4离子导体涂层。阐明了NH4H2PO4热分解引起的NH3Li3PO4LMO表面结构重组中的不同作用。具体来说,在NH3还原气体下形成的氧空位为TM迁移提供了活性位点,形成尖晶石过渡层。同时,氧空位使LMO表面PO43 -的结合能(- 2.23 eV)比无氧空位时的结合能(- 0.59 eV)降低,促进了H+/Li+交换,形成了Li3PO4非晶涂层。由于氧空位辅助的双功能表面涂层,改性后的样品具有优异的可逆性和较长的使用寿命。结合理论计算,阐明了氧空位和双功能表面涂层对LMO电化学性能的不同影响,从而为特异性功能化LMO的改性提供了合适的指导。

2结果与讨论

2.1构建氧空位辅助双功能表面涂层

LMO为基材,在其表面设计了双功能涂层。如图1所示,通过简单的湿化学方法将NH4H2PO4包封在LMO表面,在随后的退火过程中发生了以下反应:

1LMO-NLMO-NP-x样品的制备过程示意图。

作为反应产物,H3PO4NH3都参与了LMO表面的一些反应。NH3的固有还原性质会导致LMO表面出现氧空位,从而在层状相上形成尖晶石结构。基于软硬酸碱理论,LMO表面的Li-O键空气稳定性弱,容易被硬碱PO43-破坏,与硬酸Li+形成Li3PO4。在此过程中,H+质子以结晶水的形式与晶格氧原子结合,并在相对较高的温度下挥发,导致Li3PO4的晶格表面层重构。最后,在LMO表面获得尖晶石相变层和非晶Li3PO4包覆层的双表面涂层,记为LMO- NP-X(其中X = 124表示NH4H2PO4的质量百分比)。为了更好地探索NH3PO43-的不同功能,制备了NH3处理过的比较样品,并记为LMO-N

2.2双功能表面涂层的表征分析

首先,用x射线衍射(XRD)确定了LMOLMO- NLMO- NP- x的相组成。样品的衍射峰均与α-NaFeO2(空间群:R-3m)精确匹配。在约20-25°范围内的弱峰对应于Li2MnO3超晶格。图2abS2 分别展示了LMOLMO- NLMO- NP-2XRD谱图的Rietveld精修。表S1的拟合结果显示,LiTMO2Li2MnO3相分别占78%22%。改性LMO对两相的含量比没有影响。值得注意的是,修改后C2/mb轴长度和电池体积略有减少。这可能是由于氧空位的形成。假设氧空位主要形成于Li2MnO3相中。

2ab)精修XRD结果;c)拉曼光谱,d) EPR(e) P 1s, f) Mn 2pg) O 1s的高分辨率XPS光谱;h)归一化XANES, i) Mn k边傅里叶变换EXAFS光谱;j)小波变换图像。

利用拉曼摄影测量、电子顺磁共振(EPR)x射线光电子能谱(XPS)研究了LMOLMO- NLMO- NP-2样品表面TMs和氧的化学状态。在图2c中,在大约593493 cm-1处有两个明显的振动峰,分别对应于LiTMO2相的A1gEg。然而,LMO-NP-2样品的Eg峰位置移到了较低的波长(红移),表明在TM-O键周围引入了一个新的基团,可能是PO43-。此外,425 cm-1处的峰与单斜相Li2MnO3Ag峰相一致。同时,LMO-NP-2LMO-N样品在577.0551 cm-1处的杂化峰表明尖晶石相的形成,由于结晶度低,用XRD很难检测到尖晶石相的形成。EPR谱分析证实了氧空位的形成。图2d显示了g = 2.002时样品的所有顺磁对称信号,对应于氧空位。氧空位信号的增强顺序为LMO > LMO- N LMO- NP-2,说明NH3导致了氧空位的形成。

为了进一步明确NH3NH4H2PO4的作用,利用XPSLMOLMO- NLMO- NP-2的表面化学组成和元素价进行了研究和比较。在图S3中,三个样品的全XPS光谱显示Li, Mn, Ni, CoO的存在,并且在LMO-NP-2样品(2e)中出现了一个p1s(133.1 eV),表明PO43-的存在。图S354.3 eV的峰值来源于Li+。与其他两个样品相比,LMO-NP-2中的Li+峰略微向结合能较高的方向移动。所有样品的mn2p光谱(2f)mn2p3 /2峰的Mn4+ (642.2 eV)Mn3+ (644.0 eV)匹配良好。o1s光谱(2g)529.4531.0531.6532.8 eV处拟合到4个不同的峰,分别对应于晶格氧(O2-)、缺陷氧(Ov)、羟基氧(OH-)和吸附含氧基团(CO32-)。与LMO相比,改性后的LMO- NLMO- NP-2样品表面形成了更多的氧空位。该结果与EPR结果一致。

利用x射线吸收近边结构和傅里叶变换扩展x射线吸收精细结构(EXAFS)分析进一步确定了LMOLMO- NP-2Mn原子的化学环境。一般来说,中心原子的价态和局域环境可以通过kx射线吸收近边结构(XANES)光谱来确定。如图2h所示,改性后MnK-edge XANES光谱没有明显变化,说明LMO-NP-2的体结构得到了很好的维持。值得注意的是,由于表面修饰层的形成改变了Mn的价态,LMO-NP-2的前缘有轻微的低能偏移。具体来说,在磷化后,材料表面有一小部分Mn被还原。图2i显示了Mn k边缘的傅里叶变换EXAFS谱。在约1.52.4 Å处存在强峰,分别对应第一层TM- o6和第二层TM- tm6 (TM = Mn, Ni, Co, Li)沿ab平面的平均长度。与LMO相比,LMO- NP-2TM-OTM-TM峰的强度略有下降,这分别是由于氧空位和无定形磷酸盐的形成造成的。与LMO(S5)LMO- NP-2样品(2j)k3加权EXAFS信号的小波变换相比,峰的波数没有明显变化,说明没有离子掺杂。

采用扫描电镜(SEM)、高分辨率透射电镜(HRTEM)和高角度环形暗场扫描透射电镜(HAADF-STEM)观察样品的形貌和表面双涂层。如图3a-c所示,所有样品均为直径为10-20µm的颗粒,由初生球形颗粒组成。LMO-N的表面没有明显变化,而LMO-NP-2的表面变得粗糙,表明有涂层的存在。此外,LMO样品的TEM图像(3d)显示,表面(橙色区域)和内部(黄色区域)均有清晰的晶格条纹(0.48 nm),与LiTMO2相的(003)晶体或Li2MnO3相的(001)晶体匹配良好。这表明样品具有明确的层状结构。LMO-N样品(3e)表面(橙色区域)有一层厚度约为10 nm的尖晶石层,这是由富氧空位引起的。体块内部(黄色区域)保持层状结构。LMO-NP-2样品(3f)表面也发生了明显的变化,为2 ~ 4nm(橙色区域)均匀致密的非晶包层。内部也保留了层状相结构(黄色区域)TEM-EDS(能量色散光谱)图显示,MnNiCoOPLMO-NP-2的二次粒子中分布良好(S6)

3(a) LMO, b) LMO- N, c) LMO- NP-2SEM图像;(d) LMO, e) LMO- N, f) LMO- NP-2的高分辨率TEM图像;g, l) LMO-NP-2HAADF-STEM图像,对应的(h, i) FFT;J, k)沿选定矩形区域的强度分布图。

值得注意的是,在LMO-NP-2中几乎没有观察到LMO-N中出现的尖晶石结构。因此,利用原子分辨率的像差校正STEM。在LMO-NP-2HAADF-STEM图像(3g,l)中,沿[010]带轴,层状结构保持良好,晶体间距为0.47 nm(3j)。黄框部分的FFT图像如图3h所示。显然,LMO-NP-2表面发生了相变。晶格条纹的晶间距为0.244 nm(31),与LiTMO2相的(101)平面匹配良好。橙色框部分的FFT图像(3i)显示LMO-NP-2表面形成尖晶石相,这与拉曼结果一致。值得注意的是,表面尖晶石结构的厚度在沿(003)面和垂直于(003)面的方向上是不同的,这可以归因于NH3气体在(003)面的偏好。NH3引起的表面氧空位富集加剧了TMLi板的迁移,导致层状结构向尖晶石结构的相变更加严重。

以上表征结果证明,材料表面形成了由非晶相、尖晶石相和富氧空位组成的表面多组分集成结构。我们得出结论,NH4H2PO4可以成功地作为一种表面处理策略来重建LMO的表面化学和结构特征。

2.3电化学性能增强

通过各种电化学测试来评估各组分的多组分氧空位、尖晶石相结构和非晶态熔覆层对电化学性能的影响。基于LMO的固有特性,所有电化学测试的电压窗口均为2 ~ 4.8 V。所有样品,含LMO, LMO- N,或LMO- NP- x进行测试。如图4a所示,LMOLMO- NLMO- NP-2的第一次充放电曲线与典型LMO正极材料的充放电曲线一致,其可逆比容量分别为236247255 mAh/g。由于氧的不可逆反应和正极电解质间相(CEI)层的形成,LMO的初始库仑效率(ICE)仅为77%。相比之下,改性后LMO-NLMO-NP-2ICE分别提高了78%80%,这是氧空位和熔覆层协同作用的结果。LMOLMO- NLMO- NP-2对应的差分容量(dQ/dV)曲线(S7)显示出三对氧化还原峰,分别代表TM的氧化还原反应(<4.5 V)和氧的不可逆氧化(4.5 - 4.8 V)。如图4所示,在0.2 C的电流密度下(1 C = 250 mAh/g), LMO-NP-2样品在200次充放电循环后保持了243 mAh/g的可逆比容量,相当于95%的显著容量保持率。与LMO- N(70%)LMO(67%)样品相比,这是一个显著的改进。LMO-N样品的容量保留在前20次循环中有所提高,但在随后的充放电过程中有所衰减。因此,在较低电流密度下,非晶封盖层在增加LMO-NP-2的可逆容量方面发挥了至关重要的作用。

4电化学性能:a)一次充放电曲线;B, c)放电曲线;D, e)差分容量图;F) 200次充放电曲线;gh) 0.2 Ci) 1 C时的循环性能;J)倍率性能;K)电化学性能与卫星图。

LMOLMO- NP-2样品的放电曲线(4b,c)可以看出,随着循环,LMO的容量和电压衰减严重,极化急剧增加。LMO-NP-2样品的性能在所有这些方面都有显著的改善,包括轻微的容量下降、电压下降和极化。LMOdQ/dV曲线(4d)显示,随着循环的进行,LMO3.5 V4.0 V处的两个氧化峰逐渐演化为3.7 V处的一个氧化峰,从层状相到尖晶石相和岩盐相发生不可逆的相变。相反,LMO-NP-2dQ/dV曲线(4e)一致呈现出三对氧化还原峰,分别对应MnNi/CoO的氧化还原过程。此外,我们还比较了LMOLMO- Np在不同循环次数下的充放电曲线(4fS8)。第一次循环后,两种样品的电压滞后量相似,分别为1.25 V/LMO1.15 V/LMO- NP-2。经过200次循环后,LMO- Np的电压滞后明显小于LMO (0.67 V vs 1.15 V)。这表明200次循环后,LMO- Np充放电过程的可逆性优于LMOLMOLMO- NLMO- NP-2的容量率如图4j所示。LMO- NP-21C5C时的可逆比容量分别为220147 mAh/g,远高于LMO (160 mAh/g94 mAh/g)。最后,图4i显示了三种样品在1c下的容量保留能力,LMO-NLMO-NP-2均显示出较高的容量保留能力,说明氧空位引起的尖晶石结构有效地降低了材料的电化学极化。相比之下,LMO-NP-2的比容量为213 mAh/g,高于LMO-N (189 mAh/g),这是因为Li3PO4涂层具有较高的离子电导。此外,LMO-N样品在前50次循环中衰减更快,这是由于在充放电过程中大量的氧空位引发尖晶石相变造成的。这进一步导致了比容量的迅速衰减。综上所述,图4k通过卫星图展示了LMOLMO- NLMO- NP-2样品在不同电流密度下的电化学性能,包括ICE、容量率和循环性能。由于氧空位和尖晶石结构,LMO-N在高电流密度下表现出更好的性能。由于氧空位、尖晶石结构和非晶包层的协同作用,LMO-NP-2在各方面表现出最高的性能。这说明了表面多组分集成结构的综合性能。为了优化实验方案,考察了不同浓度的NH4H2PO4(124 wt.%)对电化学性能的影响(4hS9)。当NH4H2PO4添加量为2 wt.%时,样品的电化学性能最佳。

为了进一步阐明双功能表面涂层对锂离子存储性能的影响机理,采用循环伏安法(CV)、恒流间歇滴定技术(GITT)和原位电化学阻抗谱(EIS)对样品的反应动力学进行了分析。首先,在0.20.40.60.81.0 mV/s下测试LMOLMO- NLMO- NP-2CV。如图5aS10所示,峰值电流随着扫描速率的增加而增加,曲线形状保持不变。众所周知,在固定电压下,CV曲线的峰值电流与电压扫描速率和Li+扩散系数成正比。因此,通过绘制峰值电流与扫描速率的线性关系来定性分析样品的Li+扩散能力(5b)。通过CV曲线得到了电极材料的平均Li+扩散系数。由于充放电过程中浓度变化较大,该方法的可靠性较差。只能初步确定LMO- NP-2LMO- NLi+扩散系数优于LMO,证明氧空位能有效增强Li+的扩散能力。为了定量分析离子扩散系数,对三个样品进行了GITT。充放电过程中Li+扩散系数由式(2)计算:

式中,τ为电流脉冲时间(s);mbmb分别为活性物质的质量和活性物质的摩尔质量;VM表示活性物质的摩尔体积;S为电极的几何面积;Es和∆Et分别为脉冲和恒流充放电引起的电压变化。本研究使用的测试参数值为:电流密度为50 mA/g,脉冲时间为20 min,麻痹时间为60 min。图5c为三种样品在第二周期的GITT曲线和对应的logD值。总体趋势是相似的,即在充电过程中,电极的Li+扩散系数缓慢降低。在放电初期,D值显著升高。随着放电的进行,Li+扩散系数逐渐减小,直至放电结束。LMO-NP-2logD值最高,表明Li+运移动态最好。在整个充放电过程中,LMO-ND变化最小。
5a) LMO-NP-2在不同扫描速率下的CV曲线;b)峰值电流与扫描速率的线性关系;c) GITT曲线与对应的log D; D) LMOLMO- NLMO- NP-2EIS;E)相应的等效电路;f) EIS光谱;g, h) LMOLMO- NP-2的结构演化示意图。

由于GITT计算方法假设了表面反应,因此采用原位EIS测试LMOLMO- NLMO- NP-2来探测Li+在材料体中的扩散。如图5d所示,三种样品的EIS光谱在充放电过程中呈现相同的趋势。在4.8 ~ 4.5 V范围内,电荷转移电阻(RCT)随电位的减小而增大;4.5 ~ 3.5 V之间,EIS光谱呈两个半圆,对应于CEI膜的连续生成;在约3.5 ~ 2 V范围内,RCT随电压降低而增大。值得注意的是,LMO- NP-2样品的RCT在初始CEI膜生成后几乎没有增加,而LMORCT变化最大。这表明氧空位、尖晶石结构和非晶涂层的协同作用促进了稳定CEI膜的形成。图5e为相应的等效电路图,其中Rs为电池系统的欧姆电阻;RsfRCT分别为CEI膜电阻和电荷转移电阻;CPEsfCPECT为对应的固定相元;W表示Warburg阻抗。

最后,在100次循环前后分别对LMOLMO- NP-2样品进行EIS分析(5f)。在连续充电和放电的情况下,两种样品的Rs变化都很小。然而,LMO样品的RCT显著增加,且LMO- NP-2RCT相对稳定,表明改性后样品的结构稳定性。综上所述,如图5g所示,对于未修饰的LMO样品,晶格氧的不可逆氧化还原反应产生O-O二聚体,甚至O2溢出。上述过程形成的氧空位加速了TM的迁移,甚至加速了LMO表面的不可逆相变。同时,由于电解液的侵蚀,LMO表面受到了严重的破坏。同时,LMO的本征离子电导率较差,不利于Li+的输运。对于改性后的LMO-NP-2(5h),双功能表面涂层减少了晶格氧的不可逆反应,稳定了表面结构。反之,加速了Li+的输运,改善了材料的反应动力学。

2.4循环后的结构转变

为了进一步了解材料稳定表面界面的形成,利用SEMTEMXPS对循环后LMOLMO- NP-2电极的形貌、微观结构和化学成分进行了系统表征。首先,从图6abSEM图像可以看出,在0.2C下循环200次后,LMO电极和二次颗粒表面产生了许多裂纹。这表明LMO的结构由于不均匀应力和其他影响而坍塌。LMO-NP-2表面保持了良好的初始形貌,表明其具有良好的结构和稳定的界面。循环后LMOLMO- NP-2TEM图像(6c,d)进一步证实了这一观察结果。具体来说,由于电解质的侵蚀,在LMO表面形成不均匀的CEI膜,导致电化学性能严重衰减。相比之下,LMO-NP-2表面形成了均匀致密的CEI层,降低了极化和电阻。与LMO中的非晶相和岩盐相相比,LMO- NP-2中良好的晶格条纹在内部和表面都保持了层状相。这表明LMO-NP-2的结构得到了很好的维持,没有受到电解液的侵蚀。图6e-g为循环后LMOLMO- NP-2样品的c1so1sf1s XPS谱。所有样品的c1s光谱(6e)有四个峰位于284.8 eV286.6 eV288.9 eV290.6 eV,分别对应于C-C/C-HC-OO-C = OC = O键。O-C = O键主要来源于电解液中的碳酸二甲酯和碳酸乙酯。所有样品的O 1s光谱(6f)分为C = O (532.2 eV)C-O (533.9 eV)键。与改性后的样品相比,LMO样品中的TM-O键明显减少,这表明在充放电循环中溶解了更多的TM。在图6gF1s光谱中,684.8686.1687.5 eV的键分别对应Li-FLixPOyFzC-F,其中LixPOyFzC-F键主要来源于电解质盐。众所周知,C = O键和LixPOyFz/C- f是阻碍Li+迁移的重要因素,LMO-NP-2的上述产物的峰面积要小得多。因此,LMO- NP-2LMO具有更好的Li+输运能力,这与GITT和原位EIS结果一致。

6LMOLMO- NP-2样品在0.2C下循环200次后的表征:a,b) SEM图像;c,d) TEM图像;(e) C1s, f) O1s, g) F1s的高分辨率XPS光谱。

为了证明在充放电过程中TMs的溶解,50次循环后,在0.2C下拆卸电池。如图S11所示,Li| LMO- NP-2中的Li金属呈现金属光泽,而Li| LMO- NP-2中的Li金属呈现黑色,表明LMO- NP-2的双功能表面涂层有效抑制了TMs的溶解。此外,通过XPS分析进一步证实了Li金属表面的TMs含量,分别为26.6%分别为Li||LMO- NP-2Li||LMO(S2)。在图S12中,Li||LMO-NP-2XPS Ni 2p精细谱中观察到的信号较弱,表明TMs的溶解水平较低。这与在正极电极上进行的O1s精细光谱一致(6f)

2.5机制研究
使用密度泛函理论(DFT)计算来评估PO43-与衬底材料在循环过程中的锚定。如图7ab所示,PO43-LMOLMO- N上的结合能均为负,说明PO43-很容易被包覆在它们的表面。此外,PO43-LMO- N上的结合能(- 2.23 eV)低于LMO (- 0.59 eV),表明氧空位的存在促进了材料与PO43-的结合。为了进一步验证这一点,使用电化学石英晶体微天平研究了LMOLMO- NPO43-的吸收。晶体的振荡频率与电极中的粘弹性变化和质量输运密切相关。如图7c所示,首先在纯H2O溶液中测定基线。随后,当NH4H2PO4/ H2O溶液通过时,基线频率发生显著变化。最后,重新通过纯水溶液后,耗散和频率响应都恢复到初始值。相对于空样品,LMOLMO- N的频率响应显著增加,表明两者都吸附了PO43-。此外,LMO- NPO43-的吸附量大于LMO,这也与计算结果一致。

7PO43-(a) LMO(b) LMO- N上的结合能;C)电化学石英晶体微天平频率响应;(d-f)氧空位和(g-i) Mn的形成能。

为了进一步阐明氧空位和Li3PO4涂层的不同作用,我们构建了LMOLMO- NLMO- NP-2的晶体结构模型(S11)。用DFT计算方法测定了LMOLMO- NLMO- NP-2中氧空位和TM空位的形成能。在图7d-f中,LMO的氧空位形成能较低(0.78 eV),而LMO- NLMO- NP-2的氧空位形成能较高,分别为3.153.40 eV。这些结果表明,氧空位和Li3PO4涂层都抑制了氧的释放,LMO-NP-2样品在氧损失下具有最高的稳定性。为了模拟TM空位的形成能,从原子构型中去掉了一个Mn原子。计算得到LMOLMO- NLMO- NP-2TM空位形成能分别为7.625.9313.38 eV(7g,i)。值得注意的是,LMO- NTM空位形成能低于LMO,表明氧空位从能量方面不利于TM的溶解。而LMO-NP-2TM空位形成能大幅增加,说明Li3PO4涂层对抑制TM溶解起着至关重要的作用。综上所述,双功能表面涂层稳定且易于构建,可以有效地稳定晶格氧,减缓TM的溶解。

3结论

综上所述,在LMO表面成功构建了双功能表面结构、氧空位辅助尖晶石过相和非晶Li3PO4涂层。阐明了各组分的形成机理和各自的作用。其中,TM离子迁移到氧空位后,LMO表面的层状结构转变为尖晶石相。尖晶石相变降低了O2p非键能带,有效抑制了O - O二聚体的形成和O2的释放。此外,氧空位有利于LMO表面晶格上的H+/Li+交换。因此,非晶Li3PO4涂层通过增加TM离子的迁移能垒来抑制TM离子的不可逆迁移。否则,它可以抵抗电解质的侵蚀,抑制材料与电解质在循环过程中的界面副反应。在氧空位辅助尖晶石过相与非晶态Li3PO4涂层的协同作用下,最佳改性样品LMO-NP-2表现出优异的电化学性能。特别是,LMO-NP-20.2C下循环200次后仍然表现出243 mAh/g的高可逆比容量,保持率高达95%。最后,本文提出的氧空位辅助功能表面结构为LMO表面界面设计和抑制不可逆相变提供了新的思路。

Oxygen-Vacancy-Assisted Dual Functional Surface Coatings Suppressing Irreversible Phase Transition of Li-Rich Layered Oxide Cathodes;Advanced Functional Materials DOI: 10.1002/adfm.202400670
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  • 2024年是很平淡的一年,能保住饭碗就是万幸了,公司业绩不好,跳槽又不敢跳,还有一个原因就是老板对我们这些员工还是很好的,碍于人情也不能在公司困难时去雪上加霜。在工作其间遇到的大问题没有,小问题还是有不少,这里就举一两个来说一下。第一个就是,先看下下面的这个封装,你能猜出它的引脚间距是多少吗?这种排线座比较常规的是0.6mm间距(即排线是0.3mm间距)的,而这个规格也是我们用得最多的,所以我们按惯性思维来看的话,就会认为这个座子就是0.6mm间距的,这样往往就不会去细看规格书了,所以这次的运气
    wuliangu 2025-01-21 00:15 299浏览
  • 临近春节,各方社交及应酬也变得多起来了,甚至一月份就排满了各式约见。有的是关系好的专业朋友的周末“恳谈会”,基本是关于2025年经济预判的话题,以及如何稳定工作等话题;但更多的预约是来自几个客户老板及副总裁们的见面,他们为今年的经济预判与企业发展焦虑而来。在聊天过程中,我发现今年的聊天有个很有意思的“点”,挺多人尤其关心我到底是怎么成长成现在的多领域风格的,还能掌握一些经济趋势的分析能力,到底学过哪些专业、在企业管过哪些具体事情?单单就这个一个月内,我就重复了数次“为什么”,再辅以我上次写的:《
    牛言喵语 2025-01-22 17:10 162浏览
  • 现在为止,我们已经完成了Purple Pi OH主板的串口调试和部分配件的连接,接下来,让我们趁热打铁,完成剩余配件的连接!注:配件连接前请断开主板所有供电,避免敏感电路损坏!1.1 耳机接口主板有一路OTMP 标准四节耳机座J6,具备进行音频输出及录音功能,接入耳机后声音将优先从耳机输出,如下图所示:1.21.2 相机接口MIPI CSI 接口如上图所示,支持OV5648 和OV8858 摄像头模组。接入摄像头模组后,使用系统相机软件打开相机拍照和录像,如下图所示:1.3 以太网接口主板有一路
    Industio_触觉智能 2025-01-20 11:04 189浏览
  • Ubuntu20.04默认情况下为root账号自动登录,本文介绍如何取消root账号自动登录,改为通过输入账号密码登录,使用触觉智能EVB3568鸿蒙开发板演示,搭载瑞芯微RK3568,四核A55处理器,主频2.0Ghz,1T算力NPU;支持OpenHarmony5.0及Linux、Android等操作系统,接口丰富,开发评估快人一步!添加新账号1、使用adduser命令来添加新用户,用户名以industio为例,系统会提示设置密码以及其他信息,您可以根据需要填写或跳过,命令如下:root@id
    Industio_触觉智能 2025-01-17 14:14 140浏览
  • 故障现象 一辆2007款日产天籁车,搭载VQ23发动机(气缸编号如图1所示,点火顺序为1-2-3-4-5-6),累计行驶里程约为21万km。车主反映,该车起步加速时偶尔抖动,且行驶中加速无力。 图1 VQ23发动机的气缸编号 故障诊断接车后试车,发动机怠速运转平稳,但只要换挡起步,稍微踩下一点加速踏板,就能感觉到车身明显抖动。用故障检测仪检测,发动机控制模块(ECM)无故障代码存储,且无失火数据流。用虹科Pico汽车示波器测量气缸1点火信号(COP点火信号)和曲轴位置传感器信
    虹科Pico汽车示波器 2025-01-23 10:46 60浏览
  • 高速先生成员--黄刚这不马上就要过年了嘛,高速先生就不打算给大家上难度了,整一篇简单但很实用的文章给大伙瞧瞧好了。相信这个标题一出来,尤其对于PCB设计工程师来说,心就立马凉了半截。他们辛辛苦苦进行PCB的过孔设计,高速先生居然说设计多大的过孔他们不关心!另外估计这时候就跳出很多“挑刺”的粉丝了哈,因为翻看很多以往的文章,高速先生都表达了过孔孔径对高速性能的影响是很大的哦!咋滴,今天居然说孔径不关心了?别,别急哈,听高速先生在这篇文章中娓娓道来。首先还是要对各位设计工程师的设计表示肯定,毕竟像我
    一博科技 2025-01-21 16:17 147浏览
  •     IPC-2581是基于ODB++标准、结合PCB行业特点而指定的PCB加工文件规范。    IPC-2581旨在替代CAM350格式,成为PCB加工行业的新的工业规范。    有一些免费软件,可以查看(不可修改)IPC-2581数据文件。这些软件典型用途是工艺校核。    1. Vu2581        出品:Downstream     
    电子知识打边炉 2025-01-22 11:12 117浏览
  • 数字隔离芯片是一种实现电气隔离功能的集成电路,在工业自动化、汽车电子、光伏储能与电力通信等领域的电气系统中发挥着至关重要的作用。其不仅可令高、低压系统之间相互独立,提高低压系统的抗干扰能力,同时还可确保高、低压系统之间的安全交互,使系统稳定工作,并避免操作者遭受来自高压系统的电击伤害。典型数字隔离芯片的简化原理图值得一提的是,数字隔离芯片历经多年发展,其应用范围已十分广泛,凡涉及到在高、低压系统之间进行信号传输的场景中基本都需要应用到此种芯片。那么,电气工程师在进行电路设计时到底该如何评估选择一
    华普微HOPERF 2025-01-20 16:50 119浏览
  • 嘿,咱来聊聊RISC-V MCU技术哈。 这RISC-V MCU技术呢,简单来说就是基于一个叫RISC-V的指令集架构做出的微控制器技术。RISC-V这个啊,2010年的时候,是加州大学伯克利分校的研究团队弄出来的,目的就是想搞个新的、开放的指令集架构,能跟上现代计算的需要。到了2015年,专门成立了个RISC-V基金会,让这个架构更标准,也更好地推广开了。这几年啊,这个RISC-V的生态系统发展得可快了,好多公司和机构都加入了RISC-V International,还推出了不少RISC-V
    丙丁先生 2025-01-21 12:10 448浏览
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