高功率容量压接式IGBT关键技术

 中国电机工程学会“直流输电与电力电子专委会成立10周年纪念活动暨2021年学术年会(第十届)”会议于2021年12月28-30日以“线下+线上”的方式召开，参会规模800余人，超过33000多人观看了视频直播，参会代表积极交流，反响热烈。本次会议由中国电机工程学会直流输电与电力电子专业委员会主办；直流输电技术国家重点实验室、国际大电网会议中国国家委员会高压直流输电与电力电子(B4)专委会联合主办；清华大学、国家技术标准创新基地（直流输电及电力电子技术）承办；清华大学电机系、南方电网科学研究院有限责任公司、清华大学能源互联网创新研究院、清华四川能源互联网研究院、电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室、先进输电技术国家重点实验室联合承办；英国工程技术学会（IET）提供技术支持。

会上，株洲中车时代半导体有限公司常务副总经理兼研发中心主任罗海辉作了题为“高功率容量压接式IGBT关键技术”的报告，经专家本人同意在此分享会议PPT，欢迎品读。

 罗海辉，博士，中国中车首席技术专家，现任株洲中车时代半导体有限公司常务副总经理兼研发中心主任。长期从事IGBT和碳化硅功率器件技术研发与产业化工作，带领团队构建全电压系列IGBT产品技术平台并为轨道交通、新能源汽车、工业和输配电等领域提供功率半导体器件解决方案。入选“国家重点领域创新团队”，核心参与项目“高压大电流IGBT芯片关键技术及应用”并荣获2019年国家技术发明奖二等奖（排名3/6），获省部级科技奖5项，通过省部级科技成果鉴定4项。申请发明专利100余项，其中46项发明专利已授权。在国际会议、国内外核心期刊发表论文40余篇。