慕展回顾|国产碳化硅,“卷”出强大

碳化硅芯观察 2024-07-10 23:04
2024年7月8日,上海慕尼黑电子展在新国际博览中心举行。展会以新能源汽车、储能、智能驾驶、智慧电源、第三代半导体等应用领域为年度热门趋势,打造了从产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台。

最近这两天小编去慕展逛了一圈,犹记去年7月慕展开幕时,国产碳化硅企业纷纷亮相的盛况,去年我们还分两篇文章来介绍了参与了慕展的企业:
卷起来了,慕展上国产碳化硅器件企业展示情况(1)
卷起来了,慕展上国产碳化硅器件企业展示情况(2)

今年慕展现场的情况,更可谓是“神仙打架”,气氛热烈。跑完慕展我们也有几点体会:

1)国产碳化硅产品正在迅速补齐器件产品系列,多家企业携公司650V、1200V、1700-3300V各个电压段,多个型号产品出展。同时在1200V主流应用的电压段,多个头部企业(如清纯半导体、瞻芯、爱仕特等)均推出了适用于汽车主驱的10-20mΩ产品,另外,从主要下游应用需求上看,40、80mΩ的器件是主要竞争的器件型号;

2)多个器件企业完善模组产品布局,在瞻芯等企业的展台上,瞻芯的市场部人员跟我们分享了公司本次展出的SiC HPD、Easy2B\3B、塑封DCM等模组产品,爱仕特销售负责人也跟我们表示公司的模组产品份额占公司的营收占比正在提升。对此一位行业人士表示:碳化硅的封装受材料特性影响比较大,相比较传统做封装的企业,器件企业对碳化硅材料性能有更深的理解,更能通过封装放大碳化硅的优势;

3)市场竞争更为激烈。据悉,今年上半年产业处于一定的库存出清周期,叠加国内器件产品企业竞争激烈,价格跌幅明显,以40mΩ产品为例,一年内跌幅超过40%,导致终端企业在订单洽谈时不再以长单签订的形式进行,多数是一单一议,按需采购。这就使得器件的企业与客户保持频繁的沟通,及时响应,价格和技术服务都需要有更细致的配套,总体来说更加剧了国产企业之间的竞争,国内企业已迈入淘汰赛!

4)海外企业对国内市场的关注及投入大幅提升。本届展览上,英飞凌、ST等头部企业在展览展示及技术市场推广上做了非常多的准备,英飞凌在现场更是不间断的多维度立体展示了英飞凌的碳化硅和氮化镓产品及服务。另外据业内人士表示,面对国内相对竞争激烈的市场环境,海外企业也正在积极应对,在价格策略上今年来也调整频繁,以应对来自国内企业的围堵。

我们跟着镜头去看看今年碳化硅企业出展的情况,以及今年的产品方向吧~

Qorvo展出的1200V SiC模块采用紧凑型E1B封装,可以取代多达四个分立式SiC FET,从而简化热机械设计和装配。并且这些模块搭载独特的共源共栅配置,最大限度地降低导通电阻和开关损耗,极大地提升能源转换效率。

瞻芯电子展示了最新的第三代1200V SiC MOSFET系列产品,同时展出多种新规格,包括1700V、2000V和3300V电压等级产品。
在SiC模块方面,瞻芯电子展示了用于光伏MPPT的2000V 4相升压3B模块,以及用于EV主驱的SiC HPD和DCM模块。 

纳芯微展示了用于驱动SiC功率器件的隔离驱动产品,包括带米勒钳位功能、可避免功率器件误导通的NSI6801M,以及在过流的情况下,通过DESAT功能来保障功率器件不损坏的NSI68515。   


瀚薪科技展示了最新的国产化第三代1200V SiC MOSFET产品系列,支持15/18V驱动,这一系列产品涵盖16mΩ、25mΩ、40mΩ、75mΩ及120mΩ多种RDS(on)规格,在18V驱动下指标表现更优,并支持瀚薪科技自主知识产权的顶部散热封装。   

翠展微电子发布了全新的TPAK封装解决方案。TPAK封装是专为克服TO-247等传统封装方案缺陷而设计的,该方案具有高功率密度、可扩展性好、可靠性高、抗震动性能强等优点,能够满足新能源汽车市场对高集成度、高性价比功率半导体产品的需求。

方正微电子展示了应用于新能源汽车、光储充、数据中心、消费电子等领域的SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等系列产品。应用于新能源汽车、光储充、数据中心等场景的1200V SiC SBD、SiC MOSFET产品覆盖16mΩ-60mΩ、15A-40A;

泰科天润带来了6英寸SiC MOSFET、Si IGBT+SiC Diode混合单管、SiC 2in1半桥模块等各类产品。
其1200V/80mΩ SiC MOSFET阈值电压高达3.6V,能够显著降低桥臂短路风险。雪崩能量超过1000mJ,击穿电压超过1500V以上,保障了器件在应用过程中安全可靠的运行。此外,其导通电阻随温度增大的比例与业内同行相比更确保在高温运行时依旧具有较低的导通损耗。
三安半导体带来了8英寸SiC衬底/外延、SiC二极管、SiC MOSFET等各类产品。
三安半导体拥有完备的SiC二极管产品系列,包含650V/1A-50A,1200V/1A-60A以及1700V等不同电压电流平台,累计出货量2亿颗,目前已迭代至第5代产品。三安半导体SiC MOSFET系列产品覆盖650V-1700V、8mΩ-1Ω范围,应用领域包括光伏储能、车载充电机、充电桩、电驱动系统等。
清纯半导体展出了1200V SiC MOSFET完整产品系列,其中,1200V SiC MOSFET技术平台取得了第三方AEC-Q101车规级认证,并且通过了第三方960V HV-H3TRB 1000小时可靠性测试。

爱仕特带来了650-3300V的SiC MOSFET(包括最新3300V大电流产品)、650-1700V的SiC功率模块以及在新能源汽车、光储充等领域的SiC功率转换解决方案等产品。 

中恒微在本次展会上发布的DriveZM1(DCM)和DriveZM2(T-PACK)系列封装产品,具有高功率密度、高可靠性、低导通电阻、低动态损耗等特性,与采用第七代IGBT芯片技术的DriveZ62系列产品形成明星产品矩阵,闪耀慕尼黑电子展,受到众多客户追捧。


中瑞宏芯将携最新研发成果精彩亮相,提供应用于电动汽车、充电桩、光伏逆变、储能等多领域的功率转化解决方案

有部分企业我们没有展开介绍,有感兴趣的朋友可以与我们再互动哦!

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