近年来，第三代半导体技术，尤其是氮化镓（GaN）领域的快速发展，吸引了全球科技巨头的关注与竞争。在这场技术革命中，中国领军企业英诺赛科与美国知名企业宜普（EPC）之间的专利纠纷成为业界焦点。7月5日，英诺赛科在美国国际贸易委员会（ITC）的初裁中彻底驳回了宜普（EPC）公司基于其508专利的所有诉讼请求。根据判决裁定，英诺赛科对EPC的508专利（该专利涉及增强型GaN晶体管的形成方法）不存在侵权行为。
这意味着EPC基于其508专利提出的诉讼主张已不攻自破，也标志着英诺赛科在与EPC的专利战较量中取得了优势。同时，在294专利纷争中，英诺赛科表示EPC的294专利同样是无效的，而讨论对无效的专利权利要求是否存在侵权是没有意义的。早前英诺赛科已发起了一项针对294专利的多方复审程序，以四个不同的理由质疑294专利的所有权利要求，且英诺赛科主张对方专利无效的论点获得美国专利商标局法官的一致认同。美国专利商标局针对294专利的多方复审无效决定将于2025年3月发布，届时，这场由EPC发起的历时近两年的专利争议亦将落下帷幕。据了解，早在2023年5月，EPC向ITC提起诉讼，指控英诺赛科侵犯了其面向氮化镓功率半导体器件的四项核心专利（专利号分别为294、508、347和335）。对此，英诺赛科向美国专利商标局专利审判和上诉委员会递交了上述EPC专利的无效申请。2024年3月，美国专利商标局就EPC四件专利的无效做出立案决定，也意味着美国专利商标局初步认为这些专利是无效的。目前，EPC已向ITC撤销两项专利主张（347和335），而508专利和294专利仍在接受美国专利商标局的无效审查，美国专利商标局认为：“英诺赛科很有可能在其针对EPC专利的无效请求中获得胜诉。”
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