7月8日，为期三天的2024慕尼黑上海电子展于上海新国际博览中心盛大开幕。本届展会吸引了全球半导体行业TOP20的半壁江山以及国内外1600余家厂商同台竞技，展现电子行业前沿技术成果与应用方案。
据集邦化合物半导体观察，本届慕尼黑上海电子展汇聚了意法半导体、英飞凌、德州仪器（TI）、湖南三安半导体、泰科天润、华润微、英诺赛科、镓未来、平伟实业、飞锃半导体、天域半导体、捷捷微电、聚能创芯、清纯半导体、极海半导体、矽力杰半导体、杰平方半导体、芯达茂微电子、方正微电子、氮矽科技、纳芯微、瞻芯电子、扬杰科技、东科半导体、国基南方、爱仕特、威兆半导体、中微半导体、晶彩科技、蓉矽半导体、宇腾电子、昕感科技、瀚薪科技、瑞能半导体、极海半导体、翠展微电子、Vishay威世科技、Qorvo等众多第三代半导体领域知名厂商，展示了第三代半导体SiC、GaN在电子行业丰富多样的应用案例，彰显了第三代半导体对于电子行业发展的巨大推动作用，各大厂商亮点展品汇总如下：本届展会，三安半导体带来了8英寸SiC衬底/外延、SiC二极管、SiC MOSFET等各类产品。三安半导体拥有完备的SiC二极管产品系列，包含650V/1A-50A，1200V/1A-60A以及1700V等不同电压电流平台，累计出货量2亿颗，目前已迭代至第5代产品。三安半导体SiC MOSFET系列产品覆盖650V-1700V、8mΩ-1Ω范围，应用领域包括光伏储能、车载充电机、充电桩、电驱动系统等。此外，基于三安1700V 1Ω高性能SiC MOSFET产品，三安半导体自主设计了高压反激电源参考板demo，分为直插焊接式和IMS插拔式两个版本，具有高效率、小体积、高功率密度等特点。
在本届展会，英飞凌带来了覆盖工业、光伏储能、智能家居、新能源汽车等领域的围绕第三代半导体的最新产品及解决方案。在电动汽车展区，英飞凌进行了一系列技术演示，其中包括使用英飞凌第二代HybridPACK™ Drive碳化硅功率模块的电机控制器系统演示，该系统集成了Aurix TC3XX、第二代1200V SiC HybridPACK™ Drive模块、第三代EiceDrive驱动芯片1EDI30XX、无磁芯电流传感器等。在功率电源领域，英飞凌六月最新推出的中压CoolGaN™器件也亮相本届展会，英飞凌还展出了基于中压氮化镓的2KW马达驱动解决方案。
本届展会，泰科天润带来了6英寸SiC MOSFET、Si IGBT+SiC Diode混合单管、SiC 2in1半桥模块等各类产品。其1200V/80mΩ SiC MOSFET阈值电压高达3.6V，能够显著降低桥臂短路风险。雪崩能量超过1000mJ，击穿电压超过1500V以上，保障了器件在应用过程中安全可靠的运行。此外，其导通电阻随温度增大的比例与业内同行相比更确保在高温运行时依旧具有较低的导通损耗。目前，泰科天润1200V40/80mΩ SiC MOSFET已经应用在大功率充电模块上，累计经受了88万小时的电动汽车充电实战应用，包括夏季户外高温场景，累计为新能源汽车进行了800多万度电的超快充电。
泰科天润还展示了超巧致精系列SUPERSMART易用·快捷·高效SiC 2in1半桥模块，致力于打造低成本SiC模块解决方案。该模块具备高电压耐受力、快速开关速度、NTC温度监控、简化研发设计、提高功率密度、内部绝缘设计等特点。
本届展会，英诺赛科在产品方面重点展示了VGaN双向导通系列产品、SolidGaN合封系列产品等。 应用方案也比以往更加丰富，英诺赛科此次在展台展示了用于光伏与储能场景的2kW微逆方案、3kW双向储能方案，用于数据中心的2kW PSU电源模块方案、1kW DCDC模块电源，用于汽车电子的2kW 400V DC/DC方案，用于消费与家电的240W LED驱动方案，500W电机驱动方案以及4kW PFC（空调）方案。
本届展会，晶彩科技带来了第三代半导体SiC单晶专用的多晶粉体、高纯碳粉、高纯石墨件、高纯石墨毡等多款产品。 晶彩科技半导体级3C晶型大颗粒SiC多晶粉主要针对SiC单晶不同生长工艺特殊的需求，粒径可达百微米，属于国内首创技术，产品纯度达到6N。 其中，半绝缘型半导体级SiC多晶粉主要针对半绝缘型SiC单晶的生长需求，粒径可实现百微米到毫米级精准控制，产品纯度可达到6N和6.8N两个级别，氮含量低于0.5ppm；导电型半导体级SiC多晶粉主要针对导电型SiC单晶的生长需求，粒径和产品纯度与半绝缘型半导体级SiC多晶粉相当，氮含量可根据需求选择不同含量区间(<20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm)类型。
本届展会，蓉矽半导体重点展示了SiC MOSFET/二极管EJBS™，以及光伏逆变器、新型储能方案、直流充电桩和新能源汽车等领域应用解决方案。 在光伏逆变器主拓扑应用中，蓉矽半导体工规级NovuSiC®光伏逆变器解决方案包含SiC EJBS™二极管与1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相较于硅基二极管+硅基IGBT的传统方案，基于SiC器件的解决方案可将逆变器体积缩小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的开关频率下（20kHz@10kW），蓉矽半导体NovuSiC® MOSFET可降低50%的损耗；在相同损耗下（98W@10kW），蓉矽半导体EJBS™+SiC MOSFET方案可将开关频率提升2倍左右，即可从20kHz提高至40kHz。
本届展会，宇腾电子带来了6英寸硅基GaN功率器件晶圆、4英寸蓝宝石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列产品。宇腾电子致力于光电与半导体产业相关设备升级与改造；第三代半导体GaN外延片、5G光通讯厚氧化层外延硅片设计生产；MOCVD反应室专用石英与石墨制品设计生产等，为客户提供定制化产品与服务。
本届展会，镓未来带来了两款车规级GaN新品，封装形式分别为ITO-247PLUS-3L和TSPAK-DBC。其中，ITO-247PLUS-3L为插件式封装，管脚大小、位置、功能兼容传统TO-247（PLUS）-3L封装，散热基板可以通过使用导热硅脂压紧或直接使用焊料焊接在散热器上，实现更低的系统热阻(RTH，J-HS)，散热基板可以满足至少2.5KV电气隔离，还可根据客户需求，提供ITO-247-3L封装版本（带紧固锁孔)。 TSPAK-DBC则为顶部散热表贴式封装，散热基板可以满足最高4.5KV电气隔离要求，可以实现高效率自动化组装，并具有极高的板级可靠性TCOB。
本届展会，昕感科技展示的SiC器件产品涵盖650V/1200V/1700V等不同电压等级，导通电阻覆盖从7mΩ-1000mΩ各种等级，功率模块拥有汽车级与工业级SiC模块。目前，昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款SiC器件和模块产品量产，部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证。其中，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式，产品广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域。
本届展会，纳芯微电子围绕汽车电子、工业控制、可再生能源与电源等应用领域，展示了其传感器、信号链、电源管理三大方向的创新产品和解决方案。 在可再生能源领域，提高母线电压，降低电流是降本增效直接有效的办法，因此，支持更高电压的SiC功率器件正越来越多地应用于光储系统中。本次展会上，纳芯微展示了用于驱动SiC功率器件的隔离驱动产品，包括带米勒钳位功能、可避免功率器件误导通的NSI6801M，以及在过流的情况下，通过DESAT功能来保障功率器件不损坏的NSI68515。
本届展会，瀚薪科技展示了最新的国产化第三代1200V SiC MOSFET产品系列，支持15/18V驱动，这一系列产品涵盖16mΩ、25mΩ、40mΩ、75mΩ及120mΩ多种RDS(on)规格，在18V驱动下指标表现更优，并支持瀚薪科技自主知识产权的顶部散热封装。 瀚薪科技同时展出了第二代1700V 500mΩ、750mΩ、1Ω规格的SiC MOSFET以及3300V 60Ω的第三代SiC MOSFET。在SiC模块方面，瀚薪科技展示了750V及1200V的三相全桥模块。
本届展会，方正微电子展示了应用于新能源汽车、光储充、数据中心、消费电子等领域的SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等系列产品。其中，应用于新能源汽车、光储充、数据中心等场景的1200V SiC SBD、SiC MOSFET产品覆盖16mΩ-60mΩ、15A-40A；应用于消费电子场景的GaN HEMT系列产品覆盖150mΩ-500mΩ，助力打造体积更小、转换更快、能耗更低的消费电子产品。
本届展会，氮矽科技带来了涵盖从低压到高压应用的全系列GaN产品及方案。其中包括E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP®（Power integrated in package）和PWM GaN四大产品线，广泛应用于消费电子、数据中心、锂电池以及新能源汽车等领域。
本次展会，扬杰科技携带最新系列产品和全面应用解决方案亮相。其中包括SiC、IGBT、MOSFET等各类新品在变频器，充电桩充电模块，光伏逆变器，储能逆变器等中的应用解决方案。
本届展会，东科半导体重点展示了全新All-in-One全合封氮化镓AC-DC电源管理芯片（不对称半桥系列/有源箝位反激系列）。芯片采用三合一设计，单芯片集成AHB/ACF控制+半桥驱动+半桥GAN器件，实现了优异的总线控制功能，提供卓越的性能和效率。在氮化镓AC-DC电源管理芯片领域，东科半导体还带来了全合封QR-LOCK AC-DC 电源管理芯片DK0XX/DK80XXAP系列。产品输出功率覆盖12-75W。支持250KHz开关频率，待机功耗低于50mW，内置高低压输入功率补偿电路。
本届展会，国基南方带来了SiC功率器件与模块、FRED器件、OLED微显示器件与模组、AR眼镜、紫外探测成像组件、GaN/GaAs射频芯片和模块、声表滤波器、射频开关、封装管壳与掩膜版等多种产品，广泛应用于通信基站、移动终端、新能源汽车、风光发电与储能、智能穿戴、卫星互联网、低空飞行器、高压电网等战略性新兴产业领域。
本届展会，在能源基础设施方面，德州仪器（ TI）展示了用于打造更安全、更智能、更可靠的太阳能系统和储能系统的基于氮化镓的1.6kW双向微型逆变器参考设计（TIDA-010933），以及采用TI氮化镓LMG2100R044、搭载TI第三代C2000™ TMS320F280039C的正浩创新（EcoFlow）800W车载超充。在机器人领域，TI展示了适用于机器人和伺服驱动器的三相GaN逆变器，以及专为BLDC电机系统设计的先进650V三相GaN IPM。本届展会，爱仕特带来了650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大电流产品）、650-1700V的SiC功率模块以及在新能源汽车、光储充等领域的SiC功率转换解决方案等产品。 其中，3300V/60A大电流SiC MOSFET产品采用了爱仕特第三代SiC MOSFET技术，具备3300V高压、60A大电流、58mQ低导通电阻等特性，低开关损耗支持更高开关频率运行，高耐用性的封装实现更高可靠性及更长的寿命周期，半导体芯片面积更小实现更加优化的成本效益，应用领域包括列车牵引系统、不间断电源、工业电机驱动、重型车辆、智能电网3300Vac牵引变频器、光伏逆变器、储能电源、高压DC/DC变换器特种军用车等大功率高端细分领域。
本届展会，瞻芯电子带来了SiC分立器件和模块、驱动和控制芯片产品，以及多种参考设计方案。 
在SiC器件方面，瞻芯电子展示了最新的第三代1200V SiC MOSFET系列产品，同时展出多种新规格，包括1700V、2000V和3300V电压等级产品。在SiC模块方面，瞻芯电子展示了用于光伏MPPT的2000V 4相升压3B模块，以及用于EV主驱的SiC HPD和DCM模块。 
在SiC驱动IC方面，瞻芯电子展示了最新的比邻驱动™系列芯片，包括具有隔离功能且集成负压驱动或短路保护功能的SiC专用驱动芯片IVCO141x。
本届展会，瑞能半导体带来了最新的SiC顶部散热封装及SiC功率模块，采用先进环保无铅工艺的可控硅器件，新一代IGBT产品，以及专注超级充电桩的二极管车规级产品等各类产品，覆盖了光伏、工业、汽车等应用领域。瑞能BYC100MW-600PT2在保持反向恢复性能基本不变的情况下，降低VF，减少导通损耗，确保了40KW模块的量产；瑞能WND60P20W在充电模块中也提高了二极管的雪崩能力，使得在异常情况下，二极管可以耐受更多的雪崩能量，提高了器件的可靠性。
本届展会，萃锦半导体带来了SiC MOSFET、IGBT、SJ MOS以及超薄晶圆等各类产品。
目前，萃锦半导体产品涵盖600V至2200V电压范围的SiC MOSFET、硅基超结Si SJ MOSFET等分立器件，主要应用于新能源汽车、充电桩、光伏、储能、风电、工业驱动等场景和领域。
本届展会，聚能创芯展示了硅基GaN外延、650V GaN功率器件等系列产品。 
聚能创芯主要从事硅基氮化镓（GaN）的研发、生产和销售，专注于为业界提供高性能、低成本的GaN功率器件产品和技术解决方案。聚能创芯旗下聚能晶源主要从事氮化镓（GaN）外延材料的研发、设计、制造和销售，致力于为客户提供大尺寸、高性能GaN外延解决方案与材料产品。目前，聚能晶源产品线包括AIGaN/GaN-on-Si、P-cap AlGaN/GaN-on-Si、GaN-on-HR Si，覆盖GaN功率与微波器件应用。 
本届展会，翠展微电子发布了全新的TPAK封装解决方案。TPAK封装是专为克服TO-247等传统封装方案缺陷而设计的，该方案具有高功率密度、可扩展性好、可靠性高、抗震动性能强等优点，能够满足新能源汽车市场对高集成度、高性价比功率半导体产品的需求。 
此外，翠展微电子推出了基于IGBT和SiC的TO247 PLUS和TPAK产品，还通过采用铜Clip工艺实现了器件的高可靠性、低热阻和低杂散电感性能。
本届展会，Vishay在现场展示了各类无源和分立半导体解决方案。
Vishay最新发布的1200V MaxSiC™系列SiC MOSFET器件采用工业应用标准封装，具有45mΩ、80mΩ和250mΩ三种可选导通电阻，同时提供定制产品。此外，Vishay将提供650V至1700V SiC MOSFET路线图，导通电阻范围10mΩ到1Ω，包括计划发布的AEC-Q101标准车规级产品。
本届展会，Qorvo展出的1200V SiC模块采用紧凑型E1B封装，可以取代多达四个分立式SiC FET，从而简化热机械设计和装配。并且这些模块搭载独特的共源共栅配置，最大限度地降低导通电阻和开关损耗，极大地提升能源转换效率。这些SiC模块可广泛应用于电动汽车设计中，以提高能量转化效率、减少散热需求，从而增强汽车的充电效率和续航里程。为发挥SiC器件的全部潜力，Qorvo推出了面向模拟与混合信号仿真的QSPICE仿真软件。QSPICE具有卓越SPICE技术基础功能的全新SPICE代码，实现了全新一代混合模式电路仿真。通过提升仿真速度、功能和可靠性，为电源和模拟设计带来更高的设计效率。
从本届展会三代半相关厂商重点展品来看，1200V和650V系列产品已占据SiC和GaN赛道C位，同时，各大厂商正在向1700V、3300V等更高电压等级产品迈进，显示了SiC和GaN在电力电子行业应用向高压大功率发展趋势。以SiC和GaN为代表的第三代半导体对于绿色能源产业发展的重要推动作用也在日益显现，能够帮助实现更高的功效、更小的尺寸、更轻的重量、以及更低的总成本。在当前绿色低碳化转型的大背景下，以SiC和GaN为代表的第三代半导体拥有巨大的发展潜力和远景发展空间，将在新能源汽车、光储充、电力电子等场景和领域持续渗透，产业链上下游厂商也将获得发展机遇。TrendForce集邦咨询新推出《2024中国SiC功率半导体市场分析报告》，聚焦中国市场发展，重点分析供应链各环节发展情况及主要厂商动态。以下为报告目录：
