英诺赛科在ITC初步裁决中成功驳回EPC508专利的全部权利要求

CINNOResearch 2024-07-10 07:31

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2024年7月5日—英诺赛科，一家致力于打造高性能、高性价比硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率半导体解决方案的全球能源生态系统公司，在 ITC 的初裁中彻底驳回了宜普（EPC）公司基于其508 专利的所有诉讼请求。判决裁定英诺赛科在508专利的权利请求（主张的唯一权利请求）中不存在侵权行为。这是英诺赛科在美国国际贸易委员会（ITC）与EPC的争议中取得的巨大成功。

根据 ITC 的初步裁定，首席行政法官认为英诺赛科对EPC的508 专利不存在侵权行为，该专利涉及增强型 GaN 晶体管的形成方法。这意味着英诺赛科完全成功地战胜了 EPC 基于其 508 专利提出的主张。

ITC法官裁定英诺赛科对EPC的294 专利存在侵权行为。英诺赛科不同意行政法官的意见，原因是EPC的294 专利是无效的。事实上，美国专利商标局（“USPTAB”）发起了一项针对294专利的多方复审程序，以四个不同的理由质疑 294 专利的所有权利要求，并同意英诺赛科的无效论点。美国专利商标局针对294专利的多方复审无效决定将于 2025 年 3 月发布。

事实上，EPC 主张的 508专利和294专利目前都正在接受美国专利商标局的无效审查。294 专利的权利要求 1至12 和 508 专利的权利要求 1至5 被高度质疑来自于公开且被业界熟知的现有技术。英诺赛科还向美国专利商标局质疑了另外两项 EPC的专利，EPC 此前已向 ITC 主张这些专利，但后来决定撤回其主张。虽然 EPC 从 ITC 撤回了该两项专利主张，但英诺赛科仍在美国专利商标局继续对这些专利提出无效质疑。对于 EPC 最初主张的所有四项 EPC 专利，美国专利商标局认为：“ 英诺赛科很有可能在其针对EPC专利的无效请求中获得胜诉”。通过初步决定，英诺赛科在美国专利商标局的多方复审无效程序中取得了 4：4 全胜的完美战绩。

ITC 及USPTAB的初步裁定进一步证实了 EPC 对英诺赛科的诉讼是错误及荒谬的。EPC在对英诺赛科的无理攻击中逐渐陷入被动局面。在针对其所有四项专利的无效立案审查中，美国专利商标局的三名法官一致同意英诺赛科的观点。在所有四项诉讼中，英诺赛科都阐明了 EPC 专利无效的多种原因及可证实其无效性的充分论点，对此，美国专利商标局完全认可并同意英诺赛科的观点。后续，英诺赛科将向美国专利商标局提供更新的补充信息及材料，美国商标局将根据这些补充信息及材料，在 2025 年 3 月 26 日之前做出专利是否无效的最终裁定。

对于ITC在 294专利的初步裁定，英诺赛科将在7月19日前向ITC复审委员会提出上诉。本次调查的最终裁定日期为 2024 年 11 月 5 日。

英诺赛科有信心在与EPC的争议中取得彻底胜利。

中国大陆第三代半导体发展季度报告

第一章：中国大陆第三代半导体市场整体情况

1. 中国大陆第三代半导体季度项目数量情况

2. 中国大陆第三代半导体季度产能情况对比

3. 中国大陆第三代半导体衬底产能分析

4. 中国大陆第三代半导体外延产能分析

第二章：中国大陆 SiC 半导体市场分布与产能分析

1. 中国大陆第三代半导体SiC衬底CR5占比

2. 中国大陆第三代半导体SiC衬底分省份占比

3. 中国大陆第三代半导体SiC衬底产能分析与预测

4. 中国大陆第三代半导体SiC外延CR5占比

5. 中国大陆第三代半导体SiC外延分省份占比

6. 中国大陆第三代半导体SiC外延产能分析与预测

第三章：中国大陆 GaN 半导体市场分布与产能分析

1. 中国大陆第三代半导体GaN衬底CR5占比

2. 中国大陆第三代半导体GaN衬底分省份占比

3. 中国大陆第三代半导体GaN衬底产能分析与预测

4. 中国大陆第三代半导体GaN外延CR5占比

5. 中国大陆第三代半导体GaN外延分省份占比

6. 中国大陆第三代半导体GaN外延产能分析与预测

第四章：中国大陆第三代半导体季度动态分析

1. 中国大陆第三代半导体产业季度动态

2. 中国大陆第三代半导体前沿技术动态

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