40万片!银川SiC衬底项目通过竣工验收

近日,银川SiC衬底晶片生产基地项目通过竣工验收,标志着该项目已经完成建设阶段,即将进入投产运行阶段。


图片来源:陕建安装集团

据悉,该项目建设地点位于宁夏回族自治区银川市西夏区,项目总占地面积约11万平方米(约合165亩),总建筑面积约7.8万平方米。项目主要建设内容包括1座SiC加工合成车间、1座SiC长晶车间、生活办公区以及配套的辅助设施。这些设施的建设为SiC衬底晶片的生产提供了基础设施保障。

产能规划方面,项目建成后,将具备年产40万片导电型SiC衬底晶片和半绝缘型SiC衬底晶片的生产能力,其中导电性SiC衬底晶片32万片,半绝缘性SiC衬底晶片8万片。

值得一提的是,据报道,该项目的部分资金由浙江晶盛机电股份有限公司(以下简称晶盛机电)等企业自筹

资料显示,晶盛机电围绕硅、蓝宝石、SiC三大主要半导体材料开发了一系列关键设备,并延伸至化合物衬底材料领域,为半导体、光伏行业提供高端装备和服务。作为一家设备厂商,晶盛机电目前正在大力布局SiC衬底产能。

去年11月4日,晶盛机电举行总投资21.2亿元的“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式,旨在加快半导体材料端的关键核心技术攻关,实现国产化替代。随着该项目建成达产,晶盛机电在SiC材料领域的技术实力和市场竞争力有望进一步提升。


集邦化合物半导体Jenny

TrendForce集邦咨询推出《2024全球SiC Power Device市场分析报告》,聚焦全球市场发展,重点分析供应链各环节发展情况及主要厂商动态。以下为报告目录:

化合物半导体市场 TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究中心,聚焦碳化硅(SiC) 、氮化 (GaN) 等
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