日本旭化成旗下公司CrystalIS:100毫米直径单晶AlN基板批量生产

DT半导体材料 2024-07-05 18:08

AlN 的超宽带隙和高热导率不仅有助于提高 UVC LED 的可靠性和性能,还有助于提高下一代 RF 和功率设备的可靠性和性能。
近日,旭化成(Asahi Kasei)公司旗下的Crystal IS宣布,根据当前紫外线LED的要求,成功批量生产出可用面积达99%的100毫米直径单晶氮化铝(AlN)基板,生产将在美国进行。
上图是Crystal IS 100毫米大块氮化铝基板的对比,CY24 Q1(左)的可用面积为90%,CY24 Q2(右)的可用面积为99.3%。

Crystal IS总裁兼首席执行官Eoin Connolly说:"在过去九个月中,我们的大直径基板质量得到了改善,这展示了我们团队在晶体生长方面的专业技术。"AlN固有的散热优势可以在关键任务和电信应用中实现更高性能的射频和功率器件,我们很高兴能与合作伙伴合作,进一步开发这种材料,以满足他们的需求。
此前,该公司于2023年8月宣布了有史以来首个直径达100毫米的记录,并在2024年度半导体奖评选中荣获半导体电子材料类特等奖。年度半导体奖由《电子设备工业新闻》(Electronic Device Industry News)主办,该杂志是由Sangyo Times,Inc.在东京出版的行业杂志。

Crystal IS在其位于纽约绿岛的总部生产块状单晶氮化铝基板,并于2023年底开始销售用于射频和功率器件研发的2英寸直径基板。这一100毫米直径的里程碑加速了氮化铝基板新应用的开发。

AlN衬底上的新应用的开发,因为它与使用替代材料的射频和功率器件的现有制造生产线融为一体。

该公司计划今年向主要合作伙伴提供直径为100毫米的基板,这些基板将由其美国工厂独家生产,以继续拓展UVC LED以外的应用。
来源:http://www.cisuvc.com
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