浙江省近期半导体项目公示信息
01
| 项目名称 | 半导体光罩产业项目 |
| 建设单位 | 兴华芯（绍兴）半导体科技有限公司 |
| 建设性质 | 新建（迁建） |
| 投资总额（万美元） | 71506 (美元/人民币汇率：7) |
| 施工工期 | 24 个月 |
| 建设地点 | 浙江省绍兴市柯桥区钱清街道钱清村 |
| 项目主要设备 | 曝光机、烘烤机、蚀刻机、显影机、光阻涂布机、清洗机等 |
项目概况
本项目依托“中国半导体之父”张博士的技术支撑，于杭绍临空经济一体化发展示范区绍兴片区（绍兴市柯桥区钱清街道钱清村）新增土地，新增建筑面积4.84 万平方米，购置曝光机、烘烤机、蚀刻机、显影机、光阻涂布机、清洗机等设备，年生产光罩 36000 片。
建设单位联系人：陈*
联系电话：0575-841***** 198*******
02
| 项目名称 | 2 英寸碳化硅 MOSFET功率芯片生产线项目 |
| 建设单位 | 浙江芯科半导体有限公司 |
| 建设性质 | 新建（迁建） |
| 投资总额 | 100000万元 |
| 施工工期 | 24 个月 |
| 建设地点 | 杭州市富阳区富春湾新城 |
| 项目主要设备 | 酸洗、去胶清洗、光刻、刻蚀等设备 |
项目概况
浙江芯科半导体有限公司总投资 100000 万元，新征建设用地 38.81 亩，新增研发、测试及制造厂房等地上建筑面积 65715.57m2，新增地下建筑面积 3628.8m2，项目为计算机、通信和其他电子设备研发制造外延制备实验室和工艺共性平台，用于研发及生产 2 英寸碳化硅 MOSFET 功率芯片产品，项目建成后达到年产 10 万片 2英寸碳化硅 MOSFET 功率芯片的生产规模。
联系电话：173****7211 1766*****8*
03
| 项目名称 | 6英寸半导体特色工艺研发及产业化项目 |
| 建设单位 | 浙江芯晟半导体科技有限责任公司 |
| 投资总额 | 317698万元 |
| 建设单位 | 浙江省嘉兴市南湖区科技城，东至永业路，南至新大公路，西至兴业路，北至驰骋路 |
| 项目主要设备 | 光刻机、涂胶显影机、湿法刻蚀机、溅射机、PECVD、扩散炉等 |
项目概况
项目总投资317698万元，租用大桥镇新大路 232号67651.32厂房，购置光刻机、涂胶显影机、干法刻蚀机、湿法刻蚀机、离子注入、溅射机、PECVD、扩散炉等设备，形成年产64万片6英寸功率器件特色半导体的生产能力。
建设单位联系人：陈**
联系电话：0573-8258**** 15*********
04
| 项目名称 | 年产1.6亿条引线框架生产项目 |
| 建设单位 | 浙江宏丰半导体新材料有限公司 |
| 建设性质 | 新建 |
| 投资总额 | 65025万元 |
| 建设单位 | 海盐县浙江省海盐经济开发区，海鸥路西侧，中乐路南侧 |
| 项目主要设备 | 卷式自动清洗线、卷式自动贴膜机、卷式显影蚀刻退膜机、各类电镀生产线等国产设备 |
项目概况
建设单位已拍土地33248平方米，新建标准厂房、宿舍楼等建筑面积约76941.84平方米(厂房建设项目另行备案实施，本项目不再涉及),采用引线框架铜带、氰化银、氰化银钾等原材料，经前清洗、压膜、曝光、显影蚀刻、电镀、分切、后处理、检测等技术或工艺，购置卷式自动清洗线、卷式自动贴膜机、卷式显影蚀刻退膜机、各类电镀生产线等国产设备；项目建成后，形成年产1.6亿条引线框架的生产能力。本项目电镀生产线仅用于对企业自身产品加工生产，不对外加工。
建设单位联系人：熊*
联系电话：186****0388 139*****4**
05
| 项目名称 | 碳化硅 MOS 芯片制造一期项目 |
| 建设单位 | 芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 建设性质 | 扩建 |
| 投资总额 | 96100万元 |
| 建设地点 | 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路 518 号 |
项目概况
本项目将租用芯联集成现有已建A2模组生产厂房闲置区域，建设一条月产0.5万片的6/8英寸兼容碳化硅MOS芯片制造生产线，先形成6英寸碳化硅MOS规模化制造及技术的持续研发和产品积累，待国内8英寸碳化硅衬底片和外延片具备批量供应能力后，快速切换到8英寸，以实现碳化硅MOS产业化制造6英寸向8英寸快速转移，本项目建成后将形成6/8英寸碳化硅晶圆6万片/年的生产规模。
联系电话：0575-880***** 1891683****
06
| 项目名称 | 新建碳化硅封测建设项目 |
| 建设单位 | 浙江瀚薪芯昊半导体有限公司 |
| 建设性质 | 新建（迁建） |
| 投资总额 | 44150万元 |
| 施工工期 | 16个月 |
| 建设地点 | 浙江莲都经济开发区高溪区块黄塘窑周边 A2-2 地块及 A2-2 边角地块 |
| 项目主要设备 | 清洗机、键合机、切割机、固化机等 |
项目概况
拟在该地块建设标准生产厂房及配套设施，并购置碳化硅功率模块生产线、碳化硅分立器件生产线等半导体封装设备，实施新建碳化硅封测建设项目。
建设单位联系人：谢**
联系电话：131****1893
07
| 项目名称 | 义乌亚芯微电子有限公司集成电路封装测试基地项目 |
| 建设单位 | 义乌亚芯微电子有限公司 |
| 建设性质 | 新建（迁建） |
| 投资总额 | 100000万元 |
| 施工工期 | 24个月 |
| 建设地点 | 武德路与天宝路交叉口西北侧地块二 |
| 项目主要设备 | 去胶清洗机、晶圆减薄机、切割机等 |
项目概况
企业投资10亿元，新建生产厂房，总建筑面积1.448万平方米。项目引进集成电路封装测试生产线，同时配置空压机、冷水机组等辅助配套设施，新增就业人1000余人，年开工300天，三班制生产，主要从事传感器、存储器、CPU等器件的封装和测试。形成年产100亿片集成电路的封装测试生产规模。
建设单位联系人：沈*
联系电话：0573-8701**** 138******89
08
| 项目名称 | 年产600万片半导体功率器件用DPC陶瓷基板技改项目 |
| 建设单位 | 金华市芯瓷科技有限公司 |
| 建设性质 | 新建（迁建） |
| 投资总额 | 60000万元 |
| 施工工期 | 6个月 |
| 建设地点 | 金华市金东区江东镇金狮路828号 |
| 项目主要设备 | 微蚀清洗线、全板电镀清洗线、镀膜清洗线等 |
项目概况
企业拟投资60000万元，租用位于金华金东区江东镇金狮路828号天迈控股股份有限公司现有闲置厂房，引进DPC直接镀铜生产线，从事陶瓷线路基板的生产加工，建成后可形成年产600万片半导体功率器件用DPC陶瓷基板的生产能力。
建设单位联系人：林**
联系电话：139****7422
项目总体工艺流程图
09
| 项目名称 | 年产超瓷晶手机屏组件 1700 万片及半导体基板 300 万片生产建设项目 |
| 建设单位 | 浙江百盛光电股份有限公司 |
| 建设性质 | 扩建 |
| 投资总额 | 19000 万元 |
| 建设地点 | 浙江省嘉兴市南湖区余新镇姜贤路 385 号 |
| 项目主要设备 | 多线切割机、研磨机、抛光机、多槽清洗机等 |
项目概况
项目不新增土地，利用姜贤路 385 号内公司厂房一面积 2950 平方米。项目拟采购高端研磨机、新型全自动抛光机、高速多线切割机等设备，项目达产后实现年产超瓷晶手机屏组件 1700 万片和半导体基板 300 万片。
建设单位联系人：*叶文
联系电话：138****9640 13586****** 0573-833*****
项目主要生产工艺流程
10
| 项目名称 | 科睿斯半导体科技 （ 东阳 ） 有限公司FCBGA 封装基板项目 |
| 建设单位 | 科睿斯半导体科技（东阳）有限公司 |
| 建设性质 | 新建(迁建) |
| 投资总额 | 501215万元 |
| 施工工期 | 60 个月 |
| 建设地点 | 浙江省金华市东阳市东阳经济开发区 |
| 项目主要设备 | 垂直电镀主体、去膜蚀刻、显影等 |
项目概况
本项目分三期建设，一期建设内容为 1#厂房、宿舍一、废水和废液处理设施、危化品库、危废库等，年产 18.72 万片 FCBGA 高端载板的生产及配套设施；二期建设内容为研发楼、年产 9.36 万片 FCBGA 高端载板的生产及配套设施；三期建设内容为 2#厂房、年产 28.08 万片 FCBGA 高端载板的生产及配套设施。
建设单位联系人：*永斌
联系电话：152****6916 13915****** 0579-866*****
| 项目名称 | 半导体高功率元器件生产和研发二期扩产项目 |
| 建设单位 | 浙江精瓷半导体有限责任公司 |
| 建设性质 | 扩建 |
| 投资总额 | 55000万元 |
| 施工工期 | 12 个月 |
| 建设地点 | 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区杭平路12号 |
| 项目主要设备 | 有氮化铝预氧化炉（进口），烧结炉（国产）、真空溅镀线（国产）、填孔电镀线（国产）、激光切割机（国产）等设备 |
项目概况
企业租赁海宁经济开发区海宁宏厦装饰新材料科技有限公司厂房 50000 平方米，总投资 55000 万元，引进氮化铝预氧化炉（进口），烧结炉（国产）、真空溅镀线（国产）、填孔电镀线（国产）、激光切割机（国产）等设备。投产后形成年产双面氧化铝覆铜陶瓷基板 1680 万片、单面氧化铝覆铜陶瓷基板1560 万片、氮化铝覆铜陶瓷基板 240 万片、高附加值氮化铝覆铜陶瓷基板 6 万片、铜板（副产）356.18 吨的生产能力。
联系电话：0573-873***** 186****3789 139****04**
| 项目名称 | 杭州余杭浙江晶能微电子有限公司一期工厂年产60万套IGBTHPD及5万套SiC功率模块技改项目 |
| 建设单位 | 浙江晶能微电子有限公司 |
| 建设性质 | 新建 |
| 投资总额 | 31355.61万元 |
| 施工工期 | 5个月 |
| 建设地点 | 余杭区仁和街道临港路15号乐坤杭州国际产业园 |
| 项目主要设备 | 贴片机、铝线建和设备、划片机等 |
项目概况
本次一期工厂项目总投资 31355.61 万元，建设两条 IGBTHPD 生产线和一条SiC生产线，年产 60 万套 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）HPD 功率模块和5 万套SiC功率模块。
联系电话：18768****** 1881*****37
项目IGBTHPD模块工艺流程及产污环节图
