英飞凌致力于通过其创新的宽禁带(WBG)半导体技术推进可持续能源解决方案。本次英飞凌宽禁带论坛将首次展出多款CoolSiC™创新产品,偕同英飞凌智能家居方案,以及电动交通和出行方案在Electronica China 2024(慕尼黑上海电子展)4号展馆共同亮相,小编先带你一睹为快!
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7月9日
英飞凌将携宽禁带整体解决方案相约论坛
展台设立三大核心区域
绿色能源和工业区域
2000V CoolSiC™ MOSFET及
二极管首次公开亮相
英飞凌于今年推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的CoolSiC™ MOSFET分立器件,其开关损耗低,采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。适用于1500VDC的光伏组串逆变器、储能系统和电动汽车充电等应用。此外,最新推出的2000V 40A CoolSiC™二极管也将在展台同步亮相。欢迎到现场一探究竟!
新一代CoolSiC™ MOSFET G2产品
正式揭开神秘面纱
英飞凌于今年重磅推出新一代CoolSiC™ MOSFET Gen2技术。与上一代产品相比,全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%。值得一提的是,该产品具有业界最低的Rds(on)导通电阻,单个单管封装可低至7 mΩ。该技术在保证低导通电阻的同时,承诺2μs的短路能力,在业界遥遥领先。此外,新一代CoolSiC™ MOSFET Gen2技术的最大工作结温直接提升到200摄氏度,相较于第一代产品有了显著的提升。
全面展示Easy SiC模块产品系列
呈现完整产品线阵容
英飞凌Easy模块具有可扩展性和灵活性,Easy 1B和2B模块已上市多年,应用十分广泛。为了确保以同样模块高度设计更高功率的系统,英飞凌进一步开发了Easy 3B和4B模块。这两款封装可以带来更高的功率、更大的电流,采用1200V CoolSiC™ MOSFET芯片,以更好地满足新兴应用的要求。目前,1200V CoolSiC™ MOSFET M1H Easy模块拥有丰富的拓扑结构,包括半桥、全桥、三相桥、三电平以及boost。其中半桥的Easy3B模块,最小Rds(on)为2mΩ。本次展台将首次展示最完整的Easy碳化硅产品线全阵容。
智能家居区域
GaN产品组合
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智能电磁炉
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维也纳PFC方案
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Magic Leap 2
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LED矩阵上的雷达手势感应演示
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PSOC™ Edge“火箭飞船着陆器”
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电动交通和出行区域
使用英飞凌第二代HybridPACK™ Drive
碳化硅功率模块的电机控制器
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可回流焊分立器件并联三相全桥解决方案
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HybridPACK™ Drive 产品系列
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车载充电器应用-英飞凌分立器件产品系列
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10kW氮化镓充电机
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