本文来自“HBM专题报告：跨越带宽增长极限，HBM赋能AI新纪元”，随着人工智能的兴起，对高算力和带宽的需求推动了存储的发展。相较于传统的DRAM，HBM技术采用垂直堆叠DDR芯片与GPU封装实现高带宽、低延迟和低功耗，突破了传统内存的限制，适应AI时代的新需求。
目前全球市场由海力士、三星和美光主导，中国厂商如武汉新芯、长鑫存储和华为也在积极推进HBM国产化，市场供需缺口仍持续扩大，DRAM涨价周期叠加AI驱动下，HBM价格预计继续上涨，市场规模预计在2024年达到约70亿美金。
HBM的生产涉及TSV、凸点制造、堆叠工序。其中，TSV是HBM生产流程中最核心的工艺，也是价值量占比最高的工艺环节；凸点制造将随着未来间距缩小走向混合键合，是HBM未来的发展趋势；EMC是海力士关键工艺MR-MUF的主要材料，在堆叠过程中提供保护、导热、绝缘等复合功能。目前国内厂商在三大关键工艺环节正加速追赶，国产替代空间广阔。
HBM作为AI浪潮下必不可少的存储器件，供需缺口将推动HBM价值量持续攀升。TSV、混合键合、EMC三大关键工艺作为产业链价值占比较高且具有较好发展前景的环节，预计将率先受益。
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HBM专题报告：跨越带宽增长极限，HBM赋能AI新纪元
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