6 月 25 日消息,法国 CEA-Leti 研究所正式宣布牵头建设代号 FAMES 的 FD-SOI 中试线,该项目整体投资达 8.3 亿欧元(约 64.74 亿元人民币)。
CEA-Leti 研究所是法国原子能和替代能源委员会下属机构,也是 FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅的发明单位。
FD-SOI 是一项平面 COMS 技术,采用了与先进制程领域流行的 FinFET 三维晶体管不同的技术路线:
FD-SOI 工艺在基底硅的顶部掩埋一层超薄氧化物绝缘体,降低了源极和漏极之间的寄生电容,并有效地限制了从源极流向漏极的电子,显著降低了影响性能的漏电流效应。
这五套技术将为低功耗 MCU、MPU、尖端 AI / ML 设备、射频设备、5G / 6G 芯片、车用芯片、智能传感器等创造市场机遇。
CEA-Leti 首席技术官让-勒内-莱克佩斯 (Jean-RenéLèquepeys) 表示:通过整合和结合一系列尖端技术,FAMES 中试线将为颠覆性的 SoC 架构打开大门,并为未来芯片提供更智能、更环保和更高效的解决方案。FAMES 项目将特别关注半导体的可持续发展挑战。
CEA-Leti 表示 FAMES FD-SOI 中试线项目已获得至少 43 家“电子系统价值链”企业的支持,合作伙伴将包括比利时 imec,德国弗劳恩霍夫应用促进协会等欧洲多国重要研究机构。
季度全球半导体装备行业市场分析报告(大纲)
一、全球半导体装备企业市场规模分析(Top10)
二、中国大陆半导体装备行业市场投资情况分析
1. 中国大陆半导体装备行业季度投资规模分析
2. 中国大陆半导体装备行业季度投资区域分析
3. 中国大陆半导体装备行业季度投资分布分析
三、全球半导体装备行业新技术发展洞察
1. 全球半导体装备行业细分领域新技术趋势洞察
2. 中国大陆半导体装备行业细分领域技术发展洞察
四、全球半导体行业装备产业最新动态
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