用于超宽带传输光通信设备的村田硅电容器

• 最大110GHz的超宽带性能

• 没有共振，低群延迟

• 出色的抗阻匹配，高频下极低的插入损耗

• 底部电极结构，超低串扰，紧凑的走线与贴装

• 对于温度、电压、老化，静电容量值的稳定性很高

• 高可靠性

WLSC、WBSC、UWSC系列最适合用于作为TOSA、ROSA器件内光芯片电源线上的去耦电容，有助于缩减空间受限的应用装置的体积。例如在0101 (0.25mm×0.25mm)尺寸上实现高达1nF的电容密度——村田的硅电容技术可以成功做到这一点。

• 100μm的极薄型

• 低漏电流

• 高稳定性（温度、电压）

• 老化后静电容量也极少下降。

• 支持标准的引线键合封装（球和楔）

• 接近于激光器和电吸收调制器的热膨胀系数（CTE）（4.2 ppm/K）

• 与氮化铝（AIN）基板同等的导热率（150W/m.K）

• 介电常数＝11.7

• 损耗角正切（Loss Tangent）＝0.005 @1GHz, 0.015 @10GHz

• 提高可靠性

• 可应对宽带

• 小型化

• 减少元件数

• 薄型化

• 削减总成本

【直播预告】

活跃于光通信设备领域的村田高性能硅电容器产品

日期：12月02日

时间：10:00-11:30am

村田的硅电容器产品来自于2016年收购的法国IPDiA公司。该公司的硅电容器及硅被动集成器件(IPD)被广泛应用于医疗、工业、通信等要求高可靠性的领域。

在光通信领域，村田硅电容器通过其独特的构造、稳定的电气性能、高容量密度与高超的集成化技术，为提升信号完整性及产品小型化提供了极佳的解决方案。

本次线上论坛将重点展示活跃于光通信设备市场的一系列明星硅电容器及硅IPD产品，如：

• 可覆盖40GHz/60GHz/110GHz的超宽频超低插损耦合电容；
• 有助缩减实装面积的高容量密度打线退耦电容(0101尺寸1nF)；
• 可替代普通氮化铝(AlN)陶瓷基板的小型化、高可靠性、可集成阻容的硅基板方案等等。

此外，也会分享国内外光通信相关客户如何采用村田硅电容器及相关产品应对未来光通信技术发展的一些应用案例。

演讲嘉宾

Season Wu(吴海华)

Leading Engineer

从事电子行业8年以上，先后在村田担任过超级电容、超高压电容、植入类医疗级电容、硅电容器等产品技术支持，支持过的客户涉足消费类电子、医疗、物联网、电网、通信等各个领域，拥有丰富的产品技术支持及市场推广经验。

幸运礼物 

参与研讨会并回答问卷者将有机会获得由村田公司提供的倍思蓝牙耳机(共10份)，100元京东卡（共10份）。奖品以实物为准，最终解释权归村田公司所有。为确保您能收到获奖信息，请您及时更新个人信息！

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关于村田

株式会社村田制作所是一家进行基于陶瓷的无源电子元件与解决方案、通信模块和电源模块之设计、制造与销售的全球领先企业。村田致力于开发先进的电子材料以及领先的多功能和高密度模块。公司的员工和制造基地遍布世界各地。

公众号ID：murata-eetrend

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