聚焦车规级功率半导体与应用技术创新及发展趋势
21+创新技术与战略报告
15+车规级SiC相关企业产品展示
1场高层闭门会
SiC在新能源汽车上的应用进展远超行业预估，降本增效，提升可靠性，突破制造技术瓶颈，梳理SiC功率模块封装技术路线迫在眉睫。第三届新能源汽车及功率半导体协同创新技术论坛将于7月4-5日在青岛召开（与TMC年会同期同地召开），内容涵盖全球技术发展趋势，功率半导体应用技术创新，SiC功率模块特色封装与可靠性，半导体先进制造四大个版块。
在上述后两个板块，小鹏汽车、英飞凌、赛米控丹佛斯、三菱电机、罗姆半导体、中车时代半导体、天津工业大学、国家新能源汽车技术创新中心、扬州扬杰电子、南京百识电子、瓦克化学、宝士曼半导体将分享他们的创新技术与解决方案。
● SiC应用关键技术：封装优化、散热均流、EMC及轴电流等● 塑封模块优化设计提升SiC出流能力、降低SiC用量实现降本提升新能源电驱效率的混合SiC/Si功率器件及斜率控制驱动方案● 业界领先的混合SiC/Si功率模块 HPD Gen2● 混合SiC/Si功率器件驱动方案相比Si IGBT 根据WLTP负载特性能提升2.9%左右里程● 用斜率控制驱动IC根据负载电流来优化开关过程，按照WLTP工况可以降低12%左右的电驱损耗▶ 赵振波，英飞凌科技资源（上海）有限公司高级首席工程师● 创新的封装技术-双面烧结DSS，芯片直接压接DPD和DC端子叠层设计● 2.5nH超低杂散电感的框架式模块eMpack介绍● 三菱电机面向汽车主驱的功率模块设计理念和产品阵容▶ 赵利忠，三菱电机机电（上海）有限公司半导体应用技术中心副经理● ROHM TRCDRIVE pack™封装功率模块▶ 苏勇锦，罗姆半导体上海有限公司高功率解决方案FAE部高级经理低Ron,sp 碳化硅平面栅MOSFET 相关技术开发● 创新的栅氧界面态钝化开发工艺将沟道电子迁移率提升至25cm2/Vs，栅氧界面态降至5E11cm-2eV-1● 业内先进的制造设备在芯片规格相同的情况下Gross die 增加15%● 采用Bonding 和激光退火制造工艺，将Wafer 减薄至100um，芯片导通电阻降低 5% 以上● 提高芯片版图的利用率，进一步对单颗芯片成本的优化▶ 杨程，扬州扬杰电子科技股份有限公司研发&产品总监● 通过对车规第三代半导体和特殊封装结构功率模块失效模式与机理、退化特性、研究，形成符合中国产业和应用现状，针对性的车规级功率半导体产品技术标准和试验标准。▶ 李媛媛，北京国家新能源汽车技术创新中心汽车芯片群总师
● 8”SiC外延技术水平跟6”SiC外延同具量产化● SiC工艺关键能力之晶片减薄，TTV<1.5um● SiC工艺关键能力之沟槽工艺，最深刻蚀深度为3 µm● 瓦克有机硅TIM1芯片封装材料突破了高导热率的极限，能更好的优化功率半导体散热瓶颈。● 瓦克有机硅先进车载功率模块封装方案，以业界领先的RTI及耐温等级数据，助力碳化硅及IGBT极致耐热性能。● 基于业内较好的热仿真能力，瓦克联合半导体业界合作客户，共同攻克从材料设计到系统级别的热学瓶颈。采埃孚、星驱科技、纬湃科技、堡敦、法雷奥、麦格纳动力总成、紫光同芯、浩夫尔动力总成、赛玛特、图拉科技、浙江户润密封、艾菲汽车、嘉实多、海克斯康、懿朵信息科技、安施德汽车、恩斯克、舍弗勒、中茂电子、英特模及天津索克将分享以下精彩内容：● 高效低成本逆变器及电机、行星轮NVH、同轴功率分流均载、导电油封、高精度电涡流传感器、通过软件及润滑油提升效率、轴承保护、系统级NVH优化等。*含功率半导体论坛/TMC全体大会/TMC全体欢迎晚宴
