前段时间，韩国首座8吋SiC工厂宣布开工（.点这里.）；近日，印度软件巨头也宣布跨界布局8吋SiC，计划投资资金超50亿人民币。
Zoho计划建8吋SiC工厂
已取得Clas-SiC技术支持
6月10日，据外媒报道，印度软件集团Zoho已于近日向当地政府申请开展半导体制造的许可证，目前正在等待批复状态——“我们已经申请了许可证，正在等待政府批准。一旦获得批准，我们将发布正式公告，”Zoho Corp.的联合创始人兼首席执行官Sridhar Vembu表示。
据悉，Zoho计划在该半导体项目上投资7亿美元（约50.7亿人民币），目标制造SiC功率半导体。Zoho正在与苏格兰碳化硅厂商Clas-SiC对接，计划从Clas-SiC获得相关技术支持，以共同建立一个或多个SiC工厂。
具体来看，Zoho的投资预算约为2亿美元，期望州和印度政府再提供5-6亿美元，以资助建造8英寸SiC晶圆厂。届时Clas-SiC将向Zoho提供制造工艺技术，Clas-SiC是全球第一家专门的6英寸碳化硅晶圆代工厂，能够生产碳化硅功率二极管和MOSFET，具有中低规模的SiC产能。
现阶段，印度政府正在努力推动芯片制造业的发展。今年年初，印度政府批准了152亿美元的预算用于多个半导体工厂的建造；据报道，其他向印度政府申请生产碳化硅许可证的公司包括总部位于钦奈的Archean Chemical Industries的子公司SiCSem，以及总部位于美国的Silicon Power Group的印度子公司RIR Power Electronics。
上海碳化硅大会：
聚焦8吋SiC最新技术
看起来，8英寸SiC的建设和发展比预期更快，为了更好地推动产业的发展，6月14日，行家说将在上海召开“碳化硅大会”。
英飞凌、芯联集成、三安、天岳、合盛、南砂晶圆、普兴、希科、科友半导体、大族半导体、晶微亦微等众多企业已确认出席，并将围绕8英寸碳化硅量产技术等主题，发布最新的技术报告和展示最新产品方案，报名参会扫描下方二维码：
上述碳化硅企业的8英寸进展如下：
▶英飞凌：马来西亚8英寸碳化硅晶圆厂一期工程将于2024年第三季度完工，计划下半年开始生产SiC器件；
▶芯联集成：今年4月8英寸碳化硅晶圆工程批已经顺利下线；
▶三安半导体：湖南项目二期计划今年三季度投产，将全部导入国际领先的8吋生产设备和工艺；
▶天岳先进：8英寸碳化硅衬底已实现批量化销售；
▶合盛硅业：计划今年二季度末实现8英寸衬底片量产；
▶科友半导体：突破了8英寸SiC量产关键技术，8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上；
▶南砂晶圆：正在布局8英寸碳化硅单晶和衬底产业化项目，而且实现了8吋SiC技术新突破，电阻率不均匀性已接近6英寸衬底；
▶普兴电子：解决了8寸衬底应力大、易开裂、外延均匀性及缺陷难控制等难点。
▶希科半导体：实现了国产8英寸SiC衬底上同质外延生长，正式具备8英寸SiC外延片量产能力。
会议临近，请大家抓紧时间报名，“上海碳化硅大会”期待大家的参与。
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