英飞凌in PCIM Asia：系列展品全揭秘！

英飞凌工业半导体 2020-11-20 00:00

如何提升高压系统的实时性能? 如何增强能源基础设施的实时控制？

PCIM（国际电力元件、可再生能源管理展览会）是全球电力电子行业的顶级展会和研讨会，至今已有40多年历史。今年受全球新冠疫情影响，一年一度的PCIM欧洲在7月以虚拟线上展的形式呈现，短短三天，英飞凌带来了25个演示站点的沉浸式体验和18场的技术交流直播，干货与诚意满格。（戳图片回顾精彩）

本月16日-18日， PCIM Asia在上海世博展览馆盛大开幕，行业及学界专业人士齐聚现场和在线平台，集中展示、交流电力电子技术和应用，内容从器件、驱动控制、封装技术到最终系统，涵盖整个生态链。

作为功率半导体的技术领先者，今年英飞凌拥有历年最大——占地100平方米的展台，产品覆盖英飞凌全部四个事业部，展台分为四个区域：新技术、工业和新能源、电动汽车和牵引及家用电器。

本次展品主要聚焦三大亮点，一是碳化硅，二是最新的IGBT7系列产品，除此之外，电动汽车功率半导体解决方案也吸引了不少观众驻足。

碳化硅CoolSiC™：已进入电机驱动领域

CoolSiC™ 碳化硅本次的重头戏。从新技术展台开始，CoolSiC™展品延伸到每个应用展区。19个英飞凌SIC产品和应用系统，全方位诉说着SIC系统的魅力。

碳化硅功率器件具有高频、高效、高功率密度等优势，广泛应用于快速充电桩、太阳能逆变器、新能源汽车、轨道交通等多个领域。预计至 2025 年，汽车电子功率器件领域采用碳化硅技术的占比将超过 20％。

英飞凌基于“HybridPACK™ Drive”封装的碳化硅器件

英飞凌CoolSiC™赋能致瞻科技SiCTeX先进电驱系统。其SiCTeX驱动器配置了英飞凌CoolSiC沟槽型碳化硅MOSFET，CoolSiC™的高速和高功率密度特性使得其损耗低，体积小。加上致瞻科技的设计能力，功率密度可达25kW/L，并具备了一秒钟9万转的加减速性能和12万转每分钟的高速稳定运行能力，效率高达98.5%。

碳化硅MOSFET的诞生使得1200V以上电压等级有了高速功率开关。1700伏的碳化硅MOS管使得大量系统中用的辅助电源有了更简单、功率密度更高的解决方案，可大大减少器件数量。

另外，英飞凌也多方位展示了1 欧姆1700伏的碳化硅MOS管在辅助电源中的应用，在30kW通用变频器中的应用以及62W的反激式电源辅助评估板。

IGBT7和SiC在30kW通用变频器应用

62W的反激式电源辅助评估板

配合PCIM，英飞凌天猫同步上线新品碳化硅智能模块IPM，方便客户最快获取样品。这一产品可驱动8kW电机，将主要应用在商用空调、冰箱、工业风机和无人机等领域。

IGBT7：“横扫”中小功率到大功率

英飞凌采用微沟槽场终止技术的 IGBT7芯片的大、中、小功率系列P7,E7和T7已经建立，应用于电机驱动的IGBT7 Easy和Econo的5个封装，10大系列，32个产品已经建立。

IGBT7 是高功率密度的代表作，损耗低，允许过载结温高达175度，这大大减小了变频器的体积和重量。

以汇川技术开发的新一代的SV660伺服变频器为例，该系列中的1.5KW机型采用了英飞凌IGBT7模块，整机体积相对于上一代采用IGBT4的1.5kW机型减少了39%，整体性能更好。

HybridPACK™：全系列主驱应用解决方案登场

英飞凌作为全球少数的提供系统化解决方案的半导体厂商，有着丰富的车规级IGBT及SiC产品。通过不同的封装和技术，英飞凌的HybridPACK™和EasyPACK™产品家族能满足混动和纯电动汽车全功率范围要求，包括从50安培到950安培的电流等级，以及从400伏到1200伏的电压等级。

英飞凌的明星产品HybridPACK™ Drive系列，已被广泛应用于全球主流电动汽车平台。这是一款专门针对混动和纯电动车设计的紧凑型功率模块，功率范围从100到175千瓦。该模块使用了最新一代IGBT芯片EDT2，此芯片采用汽车级微沟槽栅场终止型技术。该芯片组具有业内标杆的电流密度、同时具备短路能力，并提高了电压等级，以保障逆变器在恶劣环境下可靠地运行。此外，它是一款易于装配的6开关模块，有3种不同的底版散热设计，支持直接水冷，优化的安装过程，支持产品平台化设计。

此外还展示了包括HP1系列、双面水冷系列，EasyPACK™以及单管等其他在整个主驱应用上的相关的产品及评估套件。