G3F 系列针对高速开关性能进行了优化，与 CCM TPPFC 系统中的竞争产品相比，硬开关性能系数 (FOM) 提高了 40%。这将使下一代 AI 电源单元 (PSU) 的功率提高到 10 kW，每机架功率从 30 kW 提高到 100-120 kW。
G3F GeneSiC MOSFET 采用专有的“沟槽辅助平面”技术开发而成，性能优于沟槽 MOSFET，同时还具有比竞争对手更出色的坚固性、可制造性和成本。G3F MOSFET 具有高效率和高速性能，外壳温度可降低 25°C，使用寿命比其他供应商的 SiC 产品长 3 倍。
“沟槽辅助平面”技术可实现 R DS(ON)随温度变化的极低增量，从而在整个工作范围内实现最低的功率损耗，并且在高温实际操作下与竞争产品相比， R DS(ON)可降低高达 20%。
此外，所有 GeneSiC MOSFET 均具有已公布的最高级别的 100% 测试雪崩能力、长 30% 的短路耐受时间和紧密的阈值电压分布，易于并联，GeneSiC MOSFET 是高功率、快速上市应用的理想选择。
Navitas 开发了一种新的高功率密度 AI 服务器 PSU 参考设计。该设计采用 CRPS185 外形尺寸，使用额定电压为 650 V、40mOhms 的 G3F FET 实现交错式 CCM TP PFC 拓扑。LLC 级的 GaNSafe™ 电源 IC 可提供 138 W/inch3 的功率密度和超过 97% 的峰值效率，符合欧洲目前要求的“Titanium Plus”效率标准。
Navitas 在电动汽车市场推出的创新型 22 kW、800V 双向 OBC 和 3KW DC-DC 转换器采用 1,200 V/34 mOhm (G3F34MT12K) G3F FET。这使转换器的功率密度达到 3.5 kW/L，峰值效率达到 95.5%。
SiC 技术和运营高级副总裁 Sid Sundaresan 博士指出：“G3F 为高效、低温运行的 SiC 性能树立了新标准，同时还为高功率、高压力系统提供了高可靠性和稳健性。我们正在突破 SiC 的极限，开关速度高达 600 kHz，硬开关性能系数比竞争对手高出 40%。”
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