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士兰微建设8英寸SiC功率器件芯片产线，布局高端车规芯片

MEMS 2024-06-08 00:01
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近期，杭州士兰微电子股份有限公司宣布对外投资并签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。根据公告，该项目的总投资额为120亿元人民币。
在汽车性能稳步提升的过程中，碳化硅正在与更多新能源汽车和功能器件实现深度融合，而碳化硅晶圆从6英寸向8英寸的过渡将有助于解决成本问题，使其在市场上的应用更加广泛。

杭州士兰微电子股份有限公司宣布对外投资并签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。根据公告，该项目的总投资额为120亿元人民币。

根据公告，士兰微电子拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司（以下简称"士兰集宏"）增资41.50亿元。增资完成后，士兰集宏的注册资本将由0.60亿元增加至42.10亿元。其中，士兰微电子认缴10亿元，厦门半导体投资集团有限公司认缴10亿元，厦门新翼科技实业有限公司认缴21.50亿元。


此次投资旨在加快士兰微电子在半导体产业链的布局，并落实与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署的《战略合作框架协议》。项目公司士兰集宏将负责建设一条以SiC-MOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，产能规模为6万片/月。

第一期项目总投资70亿元，其中资本金42.1亿元，占约60%；银行贷款27.9亿元，占约40%。第二期投资50亿元，在第一期的基础上实施，建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力。

SiC作为第三代半导体材料，其热导率及熔点是Si（硅）的2-3倍，电子饱和速度也是Si的2-3倍，这使得SiC材料在高温稳定性、高开关频率和低损耗等方面具有显著优势。SiC器件在微型逆变器中的应用展现出巨大的潜力，其高温稳定性、高开关频率和低损耗等特性不仅可以提高逆变器的转换效率，还能降低系统成本。

目前，士兰微电子在大尺寸化合物半导体晶圆制造方面取得了显著进展，开发了多款氮化镓、碳化硅、砷化镓射频及功率芯片工艺制程，这些技术的成功应用为其在SiC功率器件的生产中提供了坚实的基础。

该项目地点位于厦门市海沧区，已于2024年5月取得《厦门市企业投资项目备案证明》。

士兰微电子表示，本次投资将为士兰集宏"8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目"的建设和运营提供资金保障，有利于加快实现公司SiC功率器件的产业化，完善公司在车规级高端功率半导体领域的战略布局，增强核心竞争力。

延伸阅读：
《功率碳化硅（SiC）专利全景分析-2022版》
《电动汽车电力电子技术及市场-2023版》

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