摘 要：随着摩尔定律推进至纳米级节点,以硅通孔（TSV）、重布线层（RDL）、薄芯片堆叠键合等为支撑的三维集成被认为是延续摩尔定律的重要途径。Cu/SiO2 混合键合可以持续缩小芯片间三维互连节距、增大三维互连密度,是芯片堆叠键合前沿技术. 近年来它在互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器（CIS）、Xtacking 3D NAND、2.5D/3D 集成等商业化应用突破,使之成为国内外领先半导体研究机构研究关注的热点话题. 本文将系统梳理混合键合技术的研究历史与产业应用现状,重点分析近年来国内外代表性研究工作的技术路线、研究方法、关键问题等,在此基础上,对混合键合技术的未来发展方向进行展望。
关键词：混合键合；Cu/SiO2 混合键合；铜/聚合物混合键合；低温键合
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