在当今高效能源转换技术的发展更迭中,如何将开关损耗尽可能降至最低是每位工程师都必须考虑的问题。理论上能够达到零损耗的ZVS软开关,尽管已经大幅降低了开关损耗,然而在纷繁复杂的实际应用场景中,却仍会不可避免地产生损耗。
6月12日,Qorvo将在PowerUP Asia 2024上介绍其创新解决方案,点击阅读原文,锁定Qorvo虚拟展台,了解Qorvo SiC FET如何进一步降低ZVS软开关的损耗!
主题:Qorvo SiC FET在ZVS软开关应用中表现出色
时间:6月12日10:55-11:15
主讲:Mike Zhu,Qorvo高级产品应用工程师
Qorvo SiC FET可同时解决ZVS软开关应用中的主要损耗成分(传导损耗和关断开关损耗)。由于其独特的级联器件结构,它还具有低栅极驱动损耗、低时间相关输出电容、低体二极管压降等优势。本讲座将详细解释其优势器件结构,以及其性能优于硅超结和碳化硅MOSFET的原因。50kW移相全桥的模拟基准表明,与基于SiC MOSFET的E1B半桥模块相比,基于Qorvo SiC FET的E1B半桥模块的关断损耗降低了74%,满载时的结温降低了10%。