点击蓝字 关注我们
2023年3月，特斯拉宣布降低75%的SiC使用，自始市场各种猜测和讨论背后的含义。
FusionPlus 设计情况
-
翼同设计的超融合功率模块FusionPlus基于HPD兼容封装开发，将Si IGBT、SiC MOS、Schottky diode三种半导体器件融合使用在同一模块中，首款产品规格为1200V/500A。
众所周知，SiC模块与IGBT模块相比可以大幅度提升效率，但价格也远高于IGBT模块。因此，新能源车企在不同的电压平台、不同的功率段，需要通过综合评估系统成本，来选择SiC 或者 IGBT模块。Si/SiC超融合技术为客户提供了一个额外的选择，并且这是一条崭新且可持续发展的路线，而非IGBT到SiC模块之间的过渡品。
从原理上讲，SiC MOS的开关损耗低于Si IGBT，而Si IGBT的导通损耗在高负载的状态下优于SiC MOS，也就是说Si IGBT的通大电流能力更强。超融合技术FusionPlus是通过双路独立驱动，将SiC MOS 和Si IGBT的各自优势充分发挥的融合产品。超融合模块的第一设计目标是达到与SiC模块接近的性能，但成本上却大幅低于SiC模块。翼同认为超融合技术还有更多的开发空间，在一些应用中可以超过SiC模块的综合性能。
由于超融合技术采用了三种不同的器件，因此模块的设计难度会大幅增加。在模块的设计过程中，翼同半导体研发团队需要兼顾Si IGBT, SiC MOS芯片的性能特点，从散热性、寄生电感、门极驱动等多方面进行综合考虑，努力实现芯片温度均匀化、寄生电感最小化以及门极连接多样化。模块内部Si IGBT和SiC MOS单独设计了门极连接点，此双路驱动设计可兼顾多种驱动方案，翼同还可配合客户进行定制化驱动方案设计。
Si/SiC超融合功率模块FusionPlus可以为用户带来诸多优势，与相同输出电流能力的SiC模块相比，预计降本30-40%。在不同的应用中，超融合模块FusionPlus还有减少门极振荡，大电流能力强等优势。
双路驱动配合超融合技术带来了新的挑战，同时也开辟了一个全新的应用大陆。如果说过去我们比性能，比的是“线段长短”。在新的超融合技术中比性能，我们比的就是Si 和 SiC两条“性能线段”组成的“二维面域”的大小。
关于翼同半导体
-
翼同半导体是一家专注于第三代半导体功率模块创新的公司，公司聚集了中外行业资深专家，致力于通过创新来助力新能源行业的发展。
公司首款超融合模块FusionPlus已与首家客户威进智控签订了战略合作，双方会基于此类产品开发全新的控制器平台。
基于此系列封装，翼同半导体与另一战略合作伙伴共同规划了40万支/年（2025）的产能。后续翼同会继续围绕超融合技术，推出不同功率的产品。
从第二代半导体到第三代半导体，半导体产业链各个环节的创新才刚刚开始。翼同认为功率模块创新可能是现阶段产业链中投入与收益比最高的创新点，但往往容易被忽视。
过去几年中，模块封装创新主要集中在工艺创新，譬如如何提高可靠性、提高通流能力等。超融合技术是一项围绕全新拓扑和控制策略的创新，目标是在成熟的工艺基础上开发出更有性价比的产品。除了超融合技术，翼同半导体的研发团队还在酝酿着更多的创新技术和产品，后续会陆续发布。
创新是实力，更是一种的态度！翼同愿跳出盒子，通过创新为新能源行业做出贡献！
如对FusionPlus技术和产品感兴趣，可以进一步与我们取得联系。
联系邮箱：Tech.support@CN-iCuTech.com
