近期，GaN产业热度持续上涨，技术进展、新品发布、项目建设、融资并购、厂商合作等各类动态让人目不暇接，而在近日，英诺赛科、CGD两家厂商接连发布了多款GaN新品，在一定程度上显示了终端应用需求正在持续增长。5月30日，据英诺赛科官微消息，其宣布推出三款GaN驱动器产品，分别是INS1001DE（单通道驱动器）、INS2001FQ（半桥驱动器）和INS2001W（半桥驱动器），可广泛应用于数据中心、汽车电子、电池化成、太阳能微逆、马达驱动等多个领域。source：英诺赛科
其中，单通道GaN驱动器INS1001DE与行业同类型产品对比，输入电压更宽（6V-20V），驱动能力更强（1.3Ω上拉/0.5Ω下拉电阻），保护功能更多（欠压/过压/过温保护）；100V半桥GaN驱动器INS2001FQ/INS2001W与行业同类型产品对比，VCC静态电流更低（35uA），驱动能力更强（1Ω上拉/0.2Ω下拉电阻），传输延迟更短（14ns），延迟匹配更优（1ns）。另据英诺赛科官微消息，5月16日，英诺赛科宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA，该系列产品针对消费类电子领域定制开发，具备超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手机、平板、笔记本快充应用。该系列产品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具备自适应驱动电路，无损电流采样，以及众多保护功能；具备零反向恢复电荷，2MHz高开关频率，高达80V输入电压和115uA低静态电流等特性。6月4日，据CGD官微消息，其今日推出两款新型ICeGaN™产品系列GaN功率IC封装，具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过验证的DFN封装，坚固可靠。其中，DHDFN-9-1（双散热器DFN）是一种薄的双面冷却封装，外形尺寸仅为10x10mm，并采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。它具有低热阻（Rth(JC)），可采用底部、顶部和双侧冷却方式运行，在设计上具有灵活性。在顶部尤其是双侧冷却配置中，性能优于常用的TOLT封装。DHDFN-9-1封装采用双极引脚设计，有助于优化PCB布局和简单并联。BHDFN-9-1 （左）和 DHDFN-9-1（右）（source：CGD）
BHDFN-9-1（底部散热器DFN）是一种底部冷却式组件，同样采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查，其热阻为0.28K/W。BHDFN的外形尺寸为10x10mm，虽然比常用的TOLL封装更小，但具有相似封装布局，因此也可以使用TOLL封装的GaN功率IC进行通用布局，便于使用和评估。CGD产品市场营销经理Nare Gabrielyan表示，ICeGaN™产品系列GaN功率IC适用于服务器、数据中心、逆变器/电机驱动器、微型逆变器和其他工业应用，能够带来更高的功率密度和效率。另据CGD官微消息，5月30日，CGD与中国台湾绿能与环境研究所（ITRI）签署了谅解备忘录，在为USB-PD适配器开发高性能GaN解决方案方面加强合作。据悉，USB-PD适配器是GaN市场上首类商用化产品，也是CGD和ITRI首次合作瞄准的领域。双方合作协议涵盖了为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过30W/in3的电源解决方案，功率范围140-240W。来源：剑桥氮化镓器件、英诺赛科，集邦化合物半导体整理
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