TDD模式下Rx对Tx的影响

很难想象TDD模式下Rx对Tx造成了严重影响，若不是亲眼所见，我也是完全不相信的，按道理说这种事情只能发生在FDD模式下。近期在为朋友解决一款5.8GHz大功率无线网桥的射频问题时，发现Chain0的部分信道EVM很差，不开全包的情况下，MCS7只能到-26~-27dB，即使开了全包，也只是勉强达到-29dB，仅能通过产测，但余量实在太小，无法保证产测直通率，这显然是不行的。

首先询问朋友板卡样品阶段是否存在这样的问题，朋友的回答与我的猜想一致，不存在。秉着认真负责的态度，对朋友的原理图及PCB进行仔细分析，没看出什么致命的问题（朋友的射频工程师也是经验十分丰富的那种，比我的工作时间还要长）。好吧，没什么可以进一步可以分析的，开始测板子。

使用ART2软件，并配合Liepoint IQview对Chain0各频段的MCS7速率进行测试，果然如朋友所述，部分信道EVM极差。开始尝试使用笔者提出的分段测试法（这肯定不是笔者首先使用的，但貌似没有人这样称呼）。

测试WiFi收发器的输出端：发现低频段输出功率为-8dBm时，EVM可以到-32~-33dB（未开全包），加上PA的32dB增益，完全可以实现20dBm的天线口输出功率，并具有合格的EVM，可以排除WiFi收发器芯片的原理及PCB设计问题，那么就只剩下PA与RF Switch了。

测试PA的输出端：发现和预期的一致，输出功率22dBm时，EVM可以达到-30~-31dB（未开全包），完全能够满足要求。这样又排除了PA的问题，只剩下RF Switch了。

仔细核对RF Switch的原理图及器件的Marking Code，发现所用RF Switch的规格完全符合要求，且PCB也完全正确。但是当把馈线连接在天线口处，测到的EVM完全是另外一种状态，真是让人费解。

思考了很久，也没有想清楚还有什么可能的原因会造成这种情况。无奈之下，开始动用触摸大法（同样地，这也不是笔者首先使用的，但貌似没有人这样称呼）。所谓的触摸大法就是用手指触摸板卡上的走线与器件，看看能否对射频指标造成影响，例如，用手指触摸WiFi收发器芯片的输出，一定会造成天线口输出功率的下降。用手指随意触碰Chain0的射频电路，突然发现手指位于某区域时会提升EVM！逐渐缩小触摸范围，发现当手指按在LNA上会得到非常好的EVM。

经过朋友允许，在此给出PCB的部分射频走线。

发现问题所在的位置之后，就是想办法解决问题。

断开RF Switch与Rx电路之间的隔直电容，发现与此前用手指触摸的结果类似，更加确认是Rx电路对Tx EVM造成了影响。根据已有经验推测，应该是RF Switch隔离度不够，使得大功率Tx信号中的一部分泄露至LNA，并透过LNA经由空间耦合至PA输入端，使得PA最终的输出信号错乱，EVM变差。为了验证这个想法，使用一颗49.9ohm的电阻接在LNA的输出端与GND之间，再次测试，EVM非常好。

最后给朋友的解决方案是：Rx路径上再增加一颗RF Switch，增大Tx/Rx隔离度。朋友进行原理图，PCB设计变更并重新进行小批量试产，问题彻底解决，全包情况下，EVM可以达到-34~-35dB，完全满足生产要求。

原理框图：