再次实现突破！科友半导体晶体厚度突破80mm

PVT法原理示意图          高温溶液法原理示意图

先进的热场设计，充足的晶体生长驱动力热场设计是晶体生长的关键核心技术，科友半导体依托长期研发经验，设计并不断优化大尺寸碳化硅晶体生长热场，对籽晶、生长腔、原料等区域的温场进行针对性优化设计。在确保生长界面均匀性的情况下，显著提升晶体生长驱动力，满足超厚晶体生长的需求。

更快的晶体生长速率，更小的晶体内部应力

晶体生长速率慢是碳化硅晶体增厚和衬底成本进一步降低的关键制约，科友半导体基于先进热场设计和优化工艺，充分发挥长晶炉优势，大幅提升了晶体生长速率。同时晶体生长温场的均匀性决定了更低的晶体内应力，在提高晶体厚度和生长速率的情况下，有效控制晶体开裂几率，确保长晶良率处于高位。

更低的晶体缺陷密度，更高的良品率

晶体质量直接影响衬底材料的良品率，科友半导体应用优化的工艺条件，减少籽晶内部缺陷的继承，并且随着晶体的厚度增加，来自于籽晶内部微观缺陷得到充分的转化和消除，进一步减少晶体内部微观缺陷，有效提升了衬底材料的品质和良品率。

更适宜的温度梯度，获得平微凸的单晶轮廓

科友半导体基于先进的热场设计实现了适宜的温度梯度，有效削弱了生长室内的轴向温度梯度与径向温度梯度之间的耦合效应，实现了均匀温场条件下的轴向温度梯度改善，获得了平微凸形貌的单晶生长，大幅减少了单晶内部应力以及因应力引起的缺陷增殖。

单片成本显著降低，盈利能力大幅提高

该批次晶体厚度达到60mm，几乎达到业内主流晶体厚度的3倍，单片成本降低到原来的30%左右，即成本下降幅度达到70%，同时由于单颗晶体的出片率大幅提升，相当于企业盈利能力翻了三倍。