美光近日宣布将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂，并引进极紫外光刻（EUV）设备，最快将于2027年底量产先进DRAM。
新厂的总投资额预计在6000亿至8000亿日元（约合38亿至51亿美元），2026 年初动工。这一投资将用于建设一个先进的制造设施，其中包括安装EUV设备。
美光原本早就有在日建厂的计划，最初的计划曾预计推动新厂在2024年便投入运营。但此前，由于市场状况不佳，这一建厂计划一度遭到搁置。而如今，随着芯片市场回暖，尤其是人工智能热潮下DRAM芯片需求火爆，美光科技又重新推动了这一计划。
广岛厂是2013年美光并购日本DRAM大厂尔必达（Elpida）后纳入的设施，有超过4000名工程师和技术人员。
美光公司日本负责人Joshua Lee去年12月曾表示，美光位于日本广岛的工厂将于2025年生产最先进的存储芯片“1γ（Gamma）DRAM”。此外该厂也将生产生成式AI用高带宽存储器（HBM）。
2023 年10 月日本经济产业省宣布，补助美光广岛厂最高1920亿日元（约合13亿美元）。
美光称包含广岛厂，数年内会投资日本最高5000亿日元。美光在日本的多个工厂，是其研发路线图和大规模生产的核心，用于美光在其产品线中的尖端 DRAM技术。
同时，美光科技公司因故意侵犯内存子系统供应商Netlist公司的专利而可能面临三倍赔偿。
据报道，Netlist设计并向企业客户销售固态硬盘和模块化内存子系统。该公司还声称拥有适用于高带宽内存(HBM)和DDR5的专利，这两种内存都用于数据中心的AI服务器群。
5月23日，美国德克萨斯州东区地方法院的陪审员裁定，美光的部分半导体内存产品侵犯了 Netlist的两项专利，这些专利与提高内存模块性能的技术有关。赔偿金额定为4.45亿美元，但陪审员还裁定美光故意侵犯专利，这可能导致法官将赔偿金额增加三倍。
该裁决涉及两项Netlist专利：美国专利号7,619,912和11,093,417。侵权产品均为美光DDR4 RDIMM和DDR4 LRDIMM。美光可能会对裁决提出上诉，并可能就专利有效性展开旷日持久的法律争论。
Netlist在一份声明中表示，陪审团判给的赔偿金额涵盖美光在2021年4月至2024年5月期间对其'912专利的侵权行为，以及在2021年8月至2024年5月期间对其'417专利的侵权行为。
值得一提的是，在对美光科技做出裁决之前，Netlist于2023年8月赢得了对三星的最终判决。在该案中，同样在美国德克萨斯州东区地方法院审理，首席法官Rodney Gilstrap裁定三星败诉，确认其存在故意侵权行为，并判决三星支付3.03亿美元的赔偿金。
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