NAND Flash上的，指的是用于向闪存单元写入数据时使用的较高编程电压。通常高于用于其他操作如读取或擦除的正常工作电压。
NAND flash芯片需要不同的电压来执行各种操作，例如读、写和擦除。由于这些操作的要求电压通常高于芯片的工作电压（Vcc），所以需要一种机制来生成这些高电压，这种机制就是Vcc Pump。具体来说，Vcc pump（电荷泵）是一种能够将输入电压提升到更高电压的电路。
而Vpp（Voltage for Programming Power）则是通过一个专门的pin脚，直接输入电压给芯片内部，避免Vcc一级一级pump，这样可以节省功耗。
除了省电，Vpp还可以加快Program速度， Vpp这样的更高电压可以加速电荷注入到存储单元的浮动栅中的过程。这使得单元的阈值电压变化更快，阈值电压代表着存储的数据。
提高的耐久性：在NAND Flash中，每个单元只能承受有限数量的编程/擦除周期，然后就开始磨损。通过使用Vpp，编程过程更为高效，并且可能减少每次编程周期对存储单元的压力，从而延长NAND Flash的整体耐久性。
尽管Vpp可以提供上述优势，但它也增加了系统设计的复杂性和成本。所以，在现代NAND Flash技术中，使用Vpp的情况越来越少。闪存技术的进步，如改进的晶体管设计和编程算法，已经使得在较低电压下也能高效编程。许多现代NAND Flash设备现在使用单级电源系统，简化了设计和制造过程，降低了成本，并提高了功率效率，无需依赖Vpp。
在对速度和耐久度要求更高的企业级应用中，使用Vpp可以帮助满足这些要求，所以一些原厂在企业级NAND Flash会提供对Vpp的支持。
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