【技术干货】住宅太阳能逆变器系统为家庭提供绿色能源

住宅太阳能逆变器系统是一种家庭发电和储能解决方案，其包括产生可变直流电压的光伏（PV）面板阵列，升压转换器则使用称为最大功率点跟踪（MPPT）的方法（会根据阳光的强度和方向优化捕获的能量），将该电压提高到更高的直流链路电压。然后，单相DC/AC逆变器将直流链路电压（通常< 600 VDC）转换为交流电压（120至240 V），然后连接到负载或电网。

住宅太阳能逆变器有不同类型，但最常见的两种是微型逆变器和组串式逆变器。微型逆变器太阳能系统使用多个DC/AC逆变器，每个逆变器连接到单个光伏面板，通常产生高达1 kW的输出功率。组串式逆变器系统结合了多个串联光伏发电的输入。然而，连接多个太阳能电池板的效率低于微型逆变器系统，因为如果一个电池板接收到的光少于系列中其他电池板的光，整个系统的输出就会受到影响。然而，它们比微型逆变器系统便宜，每个面板都有一个逆变器。

功率优化器（具有集成MPPT的DC−DC转换器）则有助于提高组串式逆变器系统的效率，这会将光伏电池板的可变直流电压转换为固定直流电压，这意味着单个电池板的低光伏输出将不会影响整体效率。

电池储能系统（BESS）对于住宅太阳能系统至关重要，在大多数情况下，能源是在最不需要的时候捕获的——白天人们不在家的时候。使用电池来存储能量可以在需要时（晚上家人在家时）灵活地使用电力。双向转换器将BESS连接到太阳能系统，白天，当光伏板发电时，转换器为电池阵列充电。晚上，当电池板不发电时，双向转换器会释放电池中存储的能量来驱动负载。

为了实现高效率，组串式逆变器或微型逆变器中包含的DC-DC转换器可使用MPPT，在不同环境条件下最大限度地提高光伏电池板产生的功率。DC-DC转换器可以基于各种隔离和非隔离拓扑，对于太阳能住宅转换器，最常见的非隔离拓扑是单升压转换器，常见的隔离拓扑是反激式转换器。这两种拓扑都是低成本的并且具有窄的外形尺寸。另外还有DC-AC逆变器，逆变器可以使用各种拓扑结构构建，但须考虑逆变器的重量、尺寸和成本。

双向DC-DC转换器则会对储能系统中的电池进行充电和放电，这通常使用谐振CLLC或双有源桥升降压隔离拓扑。它支持宽输入和输出电压范围，并使用零电压开关（ZVS）来提高效率，它还通过将电池组与光伏面板隔离来提供安全性。

作为电力电子领域的领导者，安森美拥有住宅太阳能系统所需的广泛功率半导体产品组合，其中包括 60 V – 150 V硅MOSFET、650 V碳化硅分立MOSFET、600 V和650 V Field Stop 4 IGBT，以及集成电源模块。

安森美理解到能源系统转型需要采用具有最高效率、可靠性和安全性的解决方案，因此推出了安森美的升压和逆变器电源集成模块（PIM），使用安森美的栅极驱动器、传感、控制和外围电源产品来固定电网接口电子器件，从而完善系统。

例如在DC-AC逆变器上采用安森美的NXH75M65L4Q1 IGBT模块的HERIC H6.5转换器，该设计不需要变压器，从而减少了整个系统的重量、尺寸和成本，该拓扑解决了由作用于光伏阵列寄生电容的共模（CM）电压引起的漏电流问题。此外，作为三电平拓扑，它比基于H桥的方法提供更高的效率。一般来说，建议单相和三相应用采用三电平拓扑，以最大限度地减少谐波，并提供更平滑的输出。虽然多级拓扑需要更复杂的控制，但它们提供更好的性能和效率。

NXH75M65L4Q1是一款采用Q1封装、采用三电平H6.5拓扑的IGBT模块，该模块包含六个75 A、650 V IGBT、五个50 A、650V Stealth二极管和一个热敏电阻。NXH75M65L4Q1是快速开关Field Stop 4 Trench IGBT，具有低VCE(SAT)和低开关损耗，是采用低电感布局的模块化解决方案，具有焊接针脚。常见的最终产品包括户用太阳能逆变器（单相电源）、UPS（单相电源）、储能系统（单相电源）。

安森美还提供额定电压为600 V和650 V的硅IGBT，IGBT采用窄台面、宽沟槽宽度的Field Stop 4（FS4）技术，具有锁存抗干扰性和更小的栅极电容。场截止层增加了阻挡能力并减少了漂移层厚度，这反过来又将传导和开关能量损耗降低至30 J/A以下。它还可以降低热阻，从而实现更小的芯片和封装尺寸。FS4 IGBT设计在4kW升压转换器中表现出比Field Stop 3（FS3）设计更好的轻负载功率效率，具备比同等级竞争对手更好的表现，这些功能有助于实现更高功率效率的太阳能逆变器。

安森美的SiC MOSFET设计快速且坚固耐用，具有高效率、减小系统尺寸和成本等系统优势。MOSFET是具有绝缘栅极的金属氧化物半导体场效晶体管，尽管设计元器件相似，但这些碳化硅MOSFET比硅MOSFET具有更高的阻断电压和更高的导热率。

SiC功率器件还具有较低的状态电阻和普通硅的10倍击穿强度，电子饱和速度高出2倍，能带隙高出3倍，热导率高出3倍。一般来说，与硅材料制成的MOSFET相比，采用SiC MOSFET的系统具有更好的性能和更高的效率。

与硅MOSFET相比，选择SiC MOSFET有许多优点，例如更高的开关频率和更高的可靠性。使用SiC MOSFET模块时，高温开发也不是问题，因为这些器件即使在高温下也能高效运作。此外，使用SiC MOSFET，也可以受益于更紧凑的产品尺寸，因为所有元器件（电感器、滤波器等）都更小。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，SiC MOSFET的系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更高的工作温度、更低的EMI，以及更小的系统尺寸，提供最高的效率。

因此，碳化硅（SiC）器件可在住宅太阳能系统中实现更小的逆变器，同时提供比硅基器件更好的性能。安森美的650 V EliteSiC分立MOSFET在VGS和温度范围内均具有较低的RDS(ON)，并且可以使用负栅极电压进行驱动，从而提高了抗噪性，并避免在桥式拓扑中使用时出现错误导通。

安森美还提供广泛的产品和工具组合，以简化太阳能系统的器件选择，包括推出SECO−HVDCDC1362−40 W−GEVB 40 W SiC高压辅助电源参考设计，其中包括加快产品开发所需的一切（用户手册、物料清单、Gerber文件等），安森美还为希望执行更高级系统评估和开发的系统设计人员提供SPICE模型，通过SPICE模型能够研究电路、模块和芯片级的反向恢复行为和寄生效应，该模型还支持热仿真和自热效应的探索。

SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB评估板是40 W SiC高效的初级侧调节（PSR）高压辅助电源，该设计可在250V至900V的宽输入直流电压范围内，提供稳定的15V输出和40W功率，因此适用于400V和800V电池系统。

该板采用NCP1362准谐振峰值电流PSR反激控制器、3引脚成本优化型NVHL160N120SC1 160mOhm 1200V SiC MOSFET和FFSP0665B-F085 SiC二极管。得益于SiC FET的高阻断电压能力和超低栅极电荷（34 nC）值，开关损耗显着降低，并且该电路板在低线路输入条件下为应用展现了高达86%的卓越效率。NCP1362控制器的显着驱动能力允许SiC FET在12V下直接运行，无需预驱动器，从而简化了布局并减少了元器件数量。

反激变压器可提供4 kV隔离，并经过优化以最大限度地减少RCD缓冲器上的损耗。因此，该系统有效地抑制了高线路上的漏极电压过冲，并为SiC FET提供了100V的裕量。

太阳能发电和存储是减少碳排放，以及为我们的日常生活构建可持续能源的重要技术。为了在这个不断增长的市场中取得成功，设备制造商需要灵活的解决方案来提高能源质量、效率和可靠性，同时降低安装和运营成本。安森美是值得信赖的合作伙伴，提供完整的产品线与开发工具，设备制造商将可以确信他们的太阳能产品，将可以最低成本满足客户需求所需的效率、可靠性和耐用性。