2024年1月，三菱电机正式宣布即将推出六款用于各种电动汽车（xEV）的新型J3系列功率半导体模块，这些模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC-MOSFET） 或 RC-IGBT （Si）*1，具有紧凑的设计和可扩展性，可用于电动汽车 （EV） 和插电式混合动力汽车 （PHEV） 的逆变器。
- J3压注模功率模块（J3-T-PM）可以焊接到散热器上，与可比现有功率模块*2*3相比，热阻降低约30%，尺寸缩小约60%，有助于实现更小的xEV逆变器。
- 由于尺寸缩小，J3-T-PM的电感比现有模块*2的电感小约30%，支持高速开关。并联使用多个J3-T-PM能够进一步降低电感。
||| SiC-MOSFET可以为EV和PHEV提供更长的续航里程和更低的电力成本——使用两种类型的半导体元件：SiC-MOSFET和RC-IGBT（Si）
- 沟槽SiC-MOSFET结合了低损耗和高速驱动，使逆变器体积更小功率损耗更低，从而使EV和PHEV提供更长的续航里程和更低的电力成本。
- RC-IGBT（Si）采用了一种新的结构，将IGBT和续流二极管（FWD）结合在一个芯片上，用于更小的模块，提高了散热性能，有助于实现更小的xEV逆变器。
||| 具有各种J3-T-PM组合的全面阵容，用于可扩展的xEV逆变器设计
- J3-HEXA-S有三个J3-T-PM，J3-HEXA-L有六个J3-T-PM，两者都配备专有的新型针脚型铝散热片，以适应xEV逆变器的各种设计。
- J3-HEXA-L与现有同类功率模块*3相比，热阻降低了约20%，比另一个现有同类功率模块*4小约65%，而J3-HEXA-S比现有同类模块*5小约60%。
三菱电机SiC市场战略
2023年3月，三菱电机公司宣布，将在截至2026 年 3 月的五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约 2600 亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅 (SiC) 功率半导体的生产。4月，三菱电机在日本熊本县开工建设新的8英寸SiC工厂，并计划于2026年4月投入运营。该新工厂共有六层，总建筑面积约4.2万平方米，将主要负责8 英寸 SiC 晶圆的前端工艺；三菱电机将在全工序段引入自动输送系统，打造生产效率高的生产线，并计划逐步提高产能，目标在2026财年将SiC产能提升5倍（与2022财年相比）。
三菱电机将公司功率器件业务的目标设定为——到2025年销售额2400亿日元以上、营业利润率10%以上。为实现目标，三菱电机将重点关注增长预期较高的汽车领域和公司市场占有率较高的消费领域，两个领域按领域销售的比例将从2020年的 50%提升到到2025年的65% 。
6月26-28，碳化硅芯观察在无锡组织的活动上，将重点从产业链角度给大家剖析，碳化硅市场增长确定性与新业态模式、技术趋势等话题。邀您与深度参与行业发展的这些先行者们，一同看碳化硅产业如何“穿越周期，韧性增长”！三菱电机机电(上海)有限公司高级经理何洪涛先生，将出席本次活动并发表：《车规级SiC模块产品技术路线及系统解决方案》主题演讲。何洪涛先生毕业于清华大学，于1996年加入三菱电机，长期从事功率器件的技术支持工作，熟知各类功率半导体器件及其应用，尤其是对变频家电及工业伺服用DIPIPM产品有着丰富的理论知识和应用经验，从2015年起开始负责汽车级IGBT模块的技术支持工作，带领团队成员力争向国内厂大电动汽车领域相关厂家提供优良的技术服务。IPF 2024 第二届碳化硅功率器件制造与应用测试大会
暨化合物半导体产业高峰论坛
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